| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-37页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-17页 |
| 1.1.1 石墨烯简介 | 第11-13页 |
| 1.1.2 二维材料简介 | 第13-17页 |
| 1.2 过渡金属二硫化物的基本性质 | 第17-20页 |
| 1.2.1 2H-TMDs带隙发光 | 第17-19页 |
| 1.2.2 2H-TMDs二次谐波(SHG)的产生 | 第19-20页 |
| 1.3 过渡金属二硫化物的光电性质 | 第20-27页 |
| 1.3.1 2H-TMDs的激子效应及单光子源 | 第20-21页 |
| 1.3.2 2H-TMDs的自旋-能谷机制 | 第21-23页 |
| 1.3.3 2H-TMDs的光电性质 | 第23-25页 |
| 1.3.4 过渡金属二硫化物的电学性质 | 第25-27页 |
| 1.4 半导体门控量子点简介 | 第27-28页 |
| 1.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-37页 |
| 第2章 样品的制备、微纳加工及低温测量 | 第37-57页 |
| 2.1 样品的制备 | 第37-43页 |
| 2.1.1 物理机械剥离法 | 第37-38页 |
| 2.1.2 化学气相沉积法 | 第38页 |
| 2.1.3 微米级定点材料转移 | 第38-42页 |
| 2.1.3.1 湿法转移 | 第38-39页 |
| 2.1.3.2 干法转移 | 第39页 |
| 2.1.3.3 PC转移 | 第39-42页 |
| 2.1.4 管式退火炉 | 第42-43页 |
| 2.2 微纳加工仪器及加工工艺 | 第43-52页 |
| 2.2.1 紫外光刻机与光刻技术 | 第43-44页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜与电子束曝光技术 | 第44-49页 |
| 2.2.3 蒸发镀膜 | 第49-50页 |
| 2.2.4 其他辅助设备 | 第50-51页 |
| 2.2.5 TMDs量子点器件加工工艺流程 | 第51-52页 |
| 2.3 低温测量平台及测量系统 | 第52-56页 |
| 2.3.1 液氦的初测 | 第52-54页 |
| 2.3.2 He3低温强磁场测量 | 第54-56页 |
| 2.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第3章 单层2H-TMDs荧光增强与单光子源的研究 | 第57-75页 |
| 3.1 目前提高单层2H-TMDs材料荧光发光的方法 | 第57-58页 |
| 3.2 表面等离激元对单层二硫化钼的荧光增强 | 第58-66页 |
| 3.2.1 表面等离激元介绍 | 第58-59页 |
| 3.2.2 扫描共聚焦显微系统 | 第59-60页 |
| 3.2.3 表面等离基元对单层二硫化钼的荧光增强 | 第60-63页 |
| 3.2.4 不同偏振光下表面等离激元对1L-MoS_2的荧光增强 | 第63-66页 |
| 3.3 间隙等离激元(Gap plasmon)对1L-MoS_2的荧光增强 | 第66-68页 |
| 3.3.1 样品的制备 | 第66页 |
| 3.3.2 不同隔离层对1L-MoS_2荧光的增强 | 第66-68页 |
| 3.4 表面等离激元与2H-TMDs材料的进一步应用 | 第68-69页 |
| 3.5 2H-TMDs材料单光子源的研究 | 第69-71页 |
| 3.5.1 研究背景 | 第69-70页 |
| 3.5.2 我们的实验进展 | 第70-71页 |
| 3.6 本章小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第4章 单层2H-TMDs料光电性质的研究 | 第75-95页 |
| 4.1 2H-TMDs材料的光电性质 | 第75-76页 |
| 4.2 影响2H-TMDs材料光电性质的几点因素 | 第76-79页 |
| 4.2.1 2H-TMDs材料与金属的接触问题 | 第76-78页 |
| 4.2.2 TMDs材料的缺陷 | 第78-79页 |
| 4.3 单层二硒化钨面内p-n结 | 第79-86页 |
| 4.3.1 单层二硒化钨面内p-n结样品的制备 | 第79-81页 |
| 4.3.2 单层二硒化钨p-n结电学测量与光电探测 | 第81-86页 |
| 4.4 基于表面等离激元阵列的光电探测器 | 第86-89页 |
| 4.5 本章小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 第5章 过渡金属二硫化物材料电学性质的研究 | 第95-115页 |
| 5.1 过渡金属二硫化物材料的基本性质 | 第95-96页 |
| 5.2 过渡金属二硫化物不同层数的鉴定 | 第96-97页 |
| 5.2.1 光学显微镜下层数对比 | 第96页 |
| 5.2.2 拉曼光谱鉴定与原子力显微镜测量 | 第96-97页 |
| 5.3 过渡金属二硫化物场效应管的研究 | 第97-99页 |
| 5.4 二硒化钨门控量子点 | 第99-105页 |
| 5.4.1 二硒化钨门控量子点的制备过程 | 第99-100页 |
| 5.4.2 二硒化钨门控量子点的基本性质 | 第100-105页 |
| 5.5 基于TMDs材料的超导约瑟夫森结 | 第105-111页 |
| 5.5.1 超导约瑟夫森结简介 | 第105-106页 |
| 5.5.2 TMDs材料的超导约瑟夫森结进展 | 第106-108页 |
| 5.5.3 T_d-MoTe材料的超导约瑟夫森结 | 第108-111页 |
| 5.6 本章小结 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-119页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第119-120页 |
