| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 选题背景及研究意义 | 第11-13页 |
| 1.2 光电探测机理简述 | 第13-17页 |
| 1.2.1 光生伏特效应(Photovoltaiceffect) | 第14页 |
| 1.2.2 光热电效应(Photo-thermoelectriceffect) | 第14-15页 |
| 1.2.3 辐射热效应(Bolometriceffect) | 第15-16页 |
| 1.2.4 光栅效应(Photogatingeffect) | 第16页 |
| 1.2.5 离子波增强机制(Plasma-wave-assistedmechanism) | 第16-17页 |
| 1.3 二维纳米材料在光电探测领域中的发展 | 第17-23页 |
| 1.3.1 基于石墨烯的光电探测器 | 第17-21页 |
| 1.3.2 基于过渡金属硫化物的二维光电探测器 | 第21-23页 |
| 1.4 本文的主要内容与研究意义 | 第23-25页 |
| 第二章 过渡金属硫化物的生长及其光电探测应用 | 第25-47页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 样品形貌性能表征 | 第25-30页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第26页 |
| 2.2.2 拉曼光谱分析(RamanSpectra) | 第26-27页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第27-28页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第28页 |
| 2.2.5 透射电子显微镜(TEM) | 第28-29页 |
| 2.2.6 原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
| 2.3 基于二维纳米材料的光电探测器制备方法 | 第30-33页 |
| 2.3.1 紫外光刻工艺(UltravioletPhotolithography) | 第30-31页 |
| 2.3.2 等离子刻蚀(IonEtching) | 第31-33页 |
| 2.4 硒化钼的合成与表征 | 第33-38页 |
| 2.4.1 硒化钼的合成 | 第33-37页 |
| 2.4.2 硒化钼的表征 | 第37-38页 |
| 2.5 二硒化锡的合成与表征 | 第38-46页 |
| 2.5.1 二硒化锡的制备 | 第39-40页 |
| 2.5.2 二硒化锡的表征 | 第40-41页 |
| 2.5.3 基于二硒化锡的二维光电探测器 | 第41-43页 |
| 2.5.4 二硒化锡/石墨烯异质结光电探测器 | 第43-46页 |
| 2.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 硒化铂/石墨烯混合结构近红外光电探测器研究 | 第47-57页 |
| 3.1 前言 | 第47页 |
| 3.2 器件的制备 | 第47-49页 |
| 3.2.1 CVD法制备硒化铂薄膜 | 第47-48页 |
| 3.2.2 硒化铂/石墨烯光探测器的制备 | 第48-49页 |
| 3.3 材料的表征 | 第49-51页 |
| 3.4 器件性能测试与分析 | 第51-56页 |
| 3.5 本章总结 | 第56-57页 |
| 第四章 二维钙钛矿/石墨烯异质结光电探测器的研究 | 第57-66页 |
| 4.1 前言 | 第57页 |
| 4.2 器件的制备 | 第57-59页 |
| 4.3 材料的表征 | 第59-60页 |
| 4.4 器件性能测试 | 第60-64页 |
| 4.4.1 基于二维钙钛矿的光电探测器 | 第60-62页 |
| 4.4.2 二维钙钛矿/石墨烯异质结光电探测器 | 第62-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 工作总结 | 第66-67页 |
| 5.2 工作展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-79页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第79-80页 |
| (一)公开发表的论文 | 第79页 |
| (二)参加科研项目 | 第79页 |
| (三)硕士期间获奖情况 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
