摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
1 绪论 | 第9-12页 |
·B-C-N薄膜的研究基础 | 第9页 |
·B-C-N薄膜的研究背景 | 第9-10页 |
·BCN薄膜的物理性能 | 第10-12页 |
·光、电性能 | 第10页 |
·力学性能 | 第10-11页 |
·热稳定性 | 第11-12页 |
·耐腐蚀性能 | 第12页 |
2 B-C-N薄膜的研究现状和实验合成方法 | 第12-18页 |
·B-C-N三元化合物的理论研究 | 第13-14页 |
·B-C-N化合物的实验制备方法 | 第14-18页 |
3 B-C-N薄膜的常见表征方法和制备系统及工艺 | 第18-25页 |
·B-C-N薄膜的主要表征方法 | 第18-19页 |
·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第18-19页 |
·X射线光电子能谱(XPS) | 第19页 |
·B-C-N薄膜的制备系统-JEPG450型高真空射频磁控溅射 | 第19-23页 |
·B-C-N薄膜的制备工艺 | 第23-25页 |
·硼的选择 | 第23页 |
·B-C-N薄膜的制备 | 第23-25页 |
4 改变温度和N_2流量,BCN薄膜的红外光谱 | 第25-29页 |
·室温下N_2流量对成键性质的影响 | 第25-26页 |
·673K下N_2流量对成键性质的影响 | 第26-27页 |
·沉积温度对成键性质的影响 | 第27-28页 |
·本章小结 | 第28-29页 |
5 不同靶材制备B-C-N薄膜及其红外光谱表征 | 第29-33页 |
·h-BN和C靶,改变N_2流量BCN薄膜中化学键态的红外光谱表征 | 第29-31页 |
·采用B和C靶沉积的B-C-N薄膜中化学键态的红外光谱表征 | 第31-32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
6 N_2/Ar流量比对BCN薄膜组分和键含量的调控 | 第33-41页 |
·B-C-N薄膜的红外光谱 | 第34-36页 |
·组分 | 第36-37页 |
·薄膜中化学键含量 | 第37-39页 |
·XPS峰位移 | 第39-40页 |
·BCN薄膜的机械性能 | 第40页 |
·本章小结 | 第40-41页 |
7 活性基体上研究BCN薄膜的成键性质 | 第41-47页 |
·673K下N_2流量对成键性质的影响 | 第41-42页 |
·B-C-N薄膜的组分表征 | 第42-43页 |
·B-C-N薄膜的化学键态表征 | 第43-46页 |
·B-C-N薄膜摩擦系数 | 第46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
结论 | 第47-48页 |
参考文献 | 第48-54页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第54-55页 |
致谢 | 第55-57页 |