首页--工业技术论文--电工技术论文--独立电源技术(直接发电)论文--光电池论文--太阳能电池论文

背电极修饰对铜锌锡硫基薄膜太阳能电池性能的影响

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第12-22页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 太阳能电池原理第13-14页
        1.2.1 P-N结及其构成原理第13页
        1.2.2 光照下P-N结的伏安特性第13-14页
    1.3 太阳能电池测试的基本参数第14-15页
        1.3.1 理想的太阳能电池第14页
        1.3.2 实际制备的太阳能电池第14-15页
    1.4 太阳能电池分类第15-16页
    1.5 CZTSSe太阳能电池第16-19页
        1.5.1 CZTSSe材料的性质第16页
        1.5.2 CZTSSe材料的结构第16-17页
        1.5.3 CZTSSe太阳能电池结构第17-18页
        1.5.4 制备CZTSSe吸收层第18-19页
        1.5.5 制备背电极和窗口层第19页
    1.6 CZTSSe太阳能电池存在的主要问题第19-20页
    1.7 本论文的选题依据和主要工作第20-22页
第2章 CZTSSe薄膜性能的表征方法第22-25页
    2.1 X射线衍射(XRD)第22页
    2.2 扫描电子显微镜测试(SEM)第22页
    2.3 X射线能量色谱仪(EDS)第22-23页
    2.4 霍尔效应测试(Hall-effect)第23页
    2.5 紫外可见分光光度计(UV-Vis)第23-25页
第3章 硫脲溶解温度对CZTSSe薄膜太阳能电池的影响第25-34页
    3.1 引言第25页
    3.2 实验步骤第25-27页
        3.2.1 实验原料第25页
        3.2.2 制备CZTS前驱体溶液第25-26页
        3.2.3 CZTS纳米晶薄膜的制备第26页
        3.2.4 CZTSSSe薄膜的制备第26页
        3.2.5 制备CZTSSe太阳能光伏器件第26-27页
    3.3 结果与讨论第27-33页
        3.3.1 不同硫脲溶解温度的CZTS前驱体溶液的制备第27页
        3.3.2 硫脲溶解温度对CZTS和CZTSSe薄膜性能的影响第27-32页
        3.3.3 电池器件性能分析第32-33页
    3.4 本章小结第33-34页
第4章 WO_3隔离层制备及其对电池器件性能的影响第34-46页
    4.1 引言第34页
    4.2 实验部分第34-35页
        4.2.1 实验原料与仪器第34-35页
        4.2.2 WO_3隔离层的制备及表征第35页
        4.2.3 制备隔离层厚度不同的太阳能电池器件第35页
        4.2.4 重复性制备最薄隔离层的太阳能电池器件第35页
    4.3 结果与讨论第35-45页
        4.3.1 WO_3薄膜性能表征第35-38页
        4.3.2 不同厚度隔离层电池器件的性能表征第38-39页
        4.3.3 重复性实验得出电池器件性能的统计规律第39-45页
    4.4 本章小结第45-46页
第5章 WSe_2背电极界面材料的探索第46-52页
    5.1 引言第46页
    5.2 实验部分第46-47页
        5.2.1 实验原料与仪器第46页
        5.2.2 W电极的制备第46-47页
        5.2.3 WSe_2的制备第47页
    5.3 结果与讨论第47-51页
        5.3.1 背电极金属W薄膜性能表征第47-50页
        5.3.2 WSe_2性能表征第50-51页
    5.4 本章小结第51-52页
第6章 结论与展望第52-54页
参考文献第54-60页
攻读硕士期间发表的学术论文第60-61页
致谢第61页

论文共61页,点击 下载论文
上一篇:杂化钙钛矿半导体中有机分子与无机晶格作用的第一性原理研究
下一篇:基于钴系纳米材料的超级电容器的制备与研究