| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 AlN的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.3 立方AlN薄膜的研究状况 | 第12-13页 |
| 1.4 激光分子束外延(LMBE)生长AlN薄膜 | 第13-19页 |
| 1.4.1 LMBE机理 | 第14-15页 |
| 1.4.2 薄膜的一般生长过程 | 第15-16页 |
| 1.4.3 影响薄膜生长的因素 | 第16-19页 |
| 1.5 CASTEP简介及其计算的基本要素 | 第19-21页 |
| 1.5.1 CASTEP计算的基本要素 | 第19-20页 |
| 1.5.2 CASTEP计算的一般步骤 | 第20-21页 |
| 1.6 本论文的研究目的与研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验材料与方法 | 第23-27页 |
| 2.1 实验材料 | 第23-24页 |
| 2.2 激光分子束外延设备和工艺 | 第24-25页 |
| 2.3 薄膜的表征 | 第25-27页 |
| 2.3.1 薄膜的显微组织结构表征 | 第25-26页 |
| 2.3.2 薄膜的性能表征 | 第26-27页 |
| 第三章 AlN薄膜结构和光电特性研究 | 第27-42页 |
| 3.1 TiN缓冲层厚度对立方AlN薄膜结晶质量的影响 | 第27-30页 |
| 3.2 TiN缓冲层和AlN薄膜中的应变 | 第30-32页 |
| 3.3 TiN缓冲层厚度对立方AlN薄膜表面形貌的影响 | 第32-36页 |
| 3.4 AlN/TiN/Si的界面结构 | 第36-38页 |
| 3.5 立方AlN薄膜的光学性能 | 第38-40页 |
| 3.6 立方AlN薄膜的电学性能 | 第40-41页 |
| 3.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 AlN/TiN界面的第一性原理计算 | 第42-53页 |
| 4.1 计算参数的收敛性测试 | 第42-43页 |
| 4.2 AlN薄膜生长初期的吸附模拟 | 第43-48页 |
| 4.3 AlN/TiN界面能计算 | 第48-50页 |
| 4.4 立方AlN转变预测 | 第50-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读学位期间发表论文情况 | 第60页 |