| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第10-14页 |
| 1.2 稀磁半导体 | 第14-16页 |
| 1.3 物质的磁性和电磁相互作用理论 | 第16-22页 |
| 第二章 第一性原理 | 第22-28页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第22-26页 |
| 2.2 CASTEP、DMol3 和 VASP 特点简介 | 第26-28页 |
| 第三章 Gd 的铁磁耦合机制 | 第28-36页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 物理模型与计算方法 | 第29页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第29-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 Gd 掺杂的 GaN 团簇的结构、电子和磁性质研究 | 第36-46页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 物理模型与计算方法 | 第37-38页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第38-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 关于巨磁矩现象的讨论 | 第46-48页 |
| 5.1 引言 | 第46页 |
| 5.2 通过 N 和 Ga 的自旋极化来解释巨磁矩现象的可能性探究 | 第46-48页 |
| 第六章 总结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 硕士期间发表论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |