| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| ·中国的能源形势和发展 | 第9-10页 |
| ·太阳电池的研究概况 | 第10-11页 |
| ·本论文的研究内容和意义 | 第11-13页 |
| 第2章 太阳电池的原理和结构 | 第13-31页 |
| ·太阳电池的工作原理 | 第13-20页 |
| ·半导体p-n结原理 | 第13-18页 |
| ·p-n结的光生伏特效应 | 第18-19页 |
| ·太阳电池的电流-电压特性 | 第19-20页 |
| ·太阳电池的输出参数 | 第20-22页 |
| ·太阳电池效率的极限 | 第22-23页 |
| ·太阳电池效率的损失 | 第23-26页 |
| ·光学损失 | 第24页 |
| ·复合的损失 | 第24-25页 |
| ·寄生电阻造成的损失 | 第25-26页 |
| ·异质结太阳电池的原理 | 第26-27页 |
| ·几种高效太阳电池结构 | 第27-31页 |
| ·激光刻槽-埋栅太阳电池 | 第27页 |
| ·钝化发射极和背表面电池 | 第27-28页 |
| ·异质结本征薄层太阳电池 | 第28-29页 |
| ·选择性发射极太阳电池 | 第29-31页 |
| 第3章 多晶硅太阳电池的实验设计 | 第31-45页 |
| ·多晶硅太阳电池的工业化生产工艺 | 第31-40页 |
| ·多晶硅表面减反射及织构原理 | 第31-32页 |
| ·扩散原理 | 第32-35页 |
| ·等离子刻蚀去周边和去PSG | 第35-36页 |
| ·氮化硅薄膜的减反射和钝化原理 | 第36-39页 |
| ·丝网印刷和烧结 | 第39-40页 |
| ·多晶硅太阳电池的实验设计 | 第40-45页 |
| ·酸腐多晶硅的表面织构研究 | 第40-41页 |
| ·方阻阻值对电池性能影响的研究 | 第41页 |
| ·等离子边缘刻蚀的研究 | 第41页 |
| ·等离子增强化学气相沉积SiN_x的研究 | 第41页 |
| ·铝背场对多晶硅太阳电池性能影响的研究 | 第41-42页 |
| ·说明 | 第42-45页 |
| 第4章 多晶硅太阳电池的实验结果和分析 | 第45-59页 |
| ·酸腐多晶硅表面织构研究的实验结果和分析 | 第45-50页 |
| ·腐蚀时间对多晶硅表面织构的影响研究 | 第46-47页 |
| ·腐蚀液配比浓度对多晶硅表面织构的影响研究 | 第47-49页 |
| ·多孔硅对多晶硅表面织构的影响研究 | 第49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| ·方块电阻阻值对电池性能影响研究的实验结果和分析 | 第50-51页 |
| ·方阻阻值对电池性能影响的实验结果和分析 | 第50-51页 |
| ·讨论 | 第51页 |
| ·等离子边缘刻蚀研究的实验结果和分析 | 第51-53页 |
| ·刻蚀实验结果和分析 | 第52-53页 |
| ·讨论 | 第53页 |
| ·等离子增强化学气相沉积SIN_x研究的实验结果和分析 | 第53-56页 |
| ·SiN_x的去膜实验结果 | 第53-54页 |
| ·SiN_x的红外吸收光谱研究实验结果 | 第54-55页 |
| ·不同工艺沉积的SiN_x薄膜对电池性能的影响 | 第55页 |
| ·讨论 | 第55-56页 |
| ·铝背场对太阳电池性能影响研究的实验结果和分析 | 第56-59页 |
| 第5章 氧化亚铜薄膜的制备及其特性研究 | 第59-69页 |
| ·氧化亚铜薄膜的制备 | 第59-62页 |
| ·衬底准备 | 第59-60页 |
| ·电阻蒸发法 | 第60-61页 |
| ·实验装置 | 第61-62页 |
| ·退火处理 | 第62页 |
| ·氧化亚铜薄膜的测试研究 | 第62-67页 |
| ·XRD测试与分析 | 第62-63页 |
| ·EDX测试与分析 | 第63-64页 |
| ·AFM测试与分析 | 第64页 |
| ·四探针测试与分析 | 第64-65页 |
| ·透射谱测试与分析 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第77页 |