| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 薄膜晶体管的应用 | 第12-14页 |
| 1.2.1 TFT在LCD中的应用 | 第13页 |
| 1.2.2 TFT在OLED中的应用 | 第13-14页 |
| 1.3 不同材料TFT的性能比较 | 第14-16页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜晶体管 | 第15页 |
| 1.3.2 多晶硅薄膜晶体管 | 第15-16页 |
| 1.3.3 有机薄膜晶体管 | 第16页 |
| 1.3.4 氧化物薄膜晶体管 | 第16页 |
| 1.4 几种n型氧化物薄膜晶体管的研究现状介绍 | 第16-18页 |
| 1.4.1 ZnO-TFT技术 | 第17页 |
| 1.4.2 IGZO-TFT技术 | 第17-18页 |
| 1.5 Cu_2O-TFT的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.6 Cu_2O材料的基本性质 | 第19-20页 |
| 1.7 Cu_2O-TFT的研究意义 | 第20页 |
| 1.8 论文的主要内容和章节安排 | 第20-22页 |
| 第二章 薄膜的制备及性能表征 | 第22-39页 |
| 2.1 Al膜制备 | 第22-24页 |
| 2.1.1 电子束蒸发法 | 第22-24页 |
| 2.1.2 Al膜制备步骤 | 第24页 |
| 2.2 Cu_2O薄膜的制备 | 第24-30页 |
| 2.2.1 磁控溅射法 | 第24-27页 |
| 2.2.2 溅射薄膜生长理论 | 第27-28页 |
| 2.2.3 实验方法 | 第28-30页 |
| 2.2.3.1 衬底准备 | 第29页 |
| 2.2.3.2 溅射镀膜工艺流程 | 第29-30页 |
| 2.3 Cu_2O薄膜性能表征 | 第30-38页 |
| 2.3.1 薄膜厚度测试 | 第30-31页 |
| 2.3.2 氧气和氩气之比对Cu_2O薄膜结构的影响 | 第31-33页 |
| 2.3.3 衬底温度对Cu_2O薄膜晶体结构的影响 | 第33-34页 |
| 2.3.4 衬底温度对于Cu_2O薄膜光学性能的影响 | 第34-36页 |
| 2.3.5 不同厚度Cu_2O薄膜对光学性能影响 | 第36-37页 |
| 2.3.6 磁控溅射Cu_2O薄膜的的表面形貌 | 第37-38页 |
| 2.4 小结 | 第38-39页 |
| 第三章 室温下Cu_2O-TFT的制备及性能研究 | 第39-56页 |
| 3.1 TFT结构 | 第39-40页 |
| 3.1.1 底栅极结构 | 第39-40页 |
| 3.1.2 顶栅极结构 | 第40页 |
| 3.1.3 底接触结构 | 第40页 |
| 3.1.4 顶接触结构 | 第40页 |
| 3.2 TFT的基本工作原理 | 第40-43页 |
| 3.2.1 线性区 | 第41-42页 |
| 3.2.2 饱和区 | 第42-43页 |
| 3.3 TFT中的主要参数 | 第43-44页 |
| 3.3.1 场效应迁移率 | 第43页 |
| 3.3.2 开关电流比 | 第43页 |
| 3.3.3 阈值电压（VTH） | 第43页 |
| 3.3.4 亚阈值摆幅S | 第43-44页 |
| 3.4 底栅顶接触型TFT的制备 | 第44-51页 |
| 3.4.1 衬底准备及清洗 | 第44页 |
| 3.4.2 光刻工艺 | 第44-48页 |
| 3.4.2.1 光刻胶 | 第45页 |
| 3.4.2.2 曝光方法 | 第45-46页 |
| 3.4.2.3 光刻工艺的基本步骤 | 第46-48页 |
| 3.4.3 剥离技术(lift-off ) | 第48-49页 |
| 3.4.4 底栅顶接触Cu_2O-TFT的制备步骤 | 第49-51页 |
| 3.5 有源层厚度对薄膜晶体管的影响 | 第51-55页 |
| 3.5.1 电学性能性能测试 | 第51-53页 |
| 3.5.2 结果分析 | 第53-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 Cu_2O-TFT热处理及稳定性研究 | 第56-60页 |
| 4.1 热处理对Cu_2O-TFT性能影响 | 第56-58页 |
| 4.2 Cu_2O-TFT稳定性研究 | 第58-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 5.1 结论 | 第60页 |
| 5.2 存在的问题及建议 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
