| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 氧化锌纳米线、棒的生长技术 | 第13-17页 |
| 1.2.1 气相沉积法 | 第13-15页 |
| 1.2.2 电化学沉积法 | 第15页 |
| 1.2.3 水热法 | 第15-17页 |
| 1.2.4 其他方法 | 第17页 |
| 1.3 图案化 ZnO 纳米阵列的研究现状 | 第17-23页 |
| 1.3.1 纳米压印 | 第18-19页 |
| 1.3.2 光刻技术 | 第19-20页 |
| 1.3.3 胶体球刻蚀技术 | 第20-22页 |
| 1.3.4 电子束刻蚀技术 | 第22-23页 |
| 1.4 垂直转移纳米棒阵列的方法 | 第23-25页 |
| 1.5 目前存在的主要问题及主要研究内容 | 第25-29页 |
| 1.5.1 目前存在的主要问题 | 第25-26页 |
| 1.5.2 论文研究的目的、思路和主要内容 | 第26-29页 |
| 参考文献 | 第29-33页 |
| 第二章 图案化 ZnO 纳米棒阵列在不同基底上的构筑 | 第33-47页 |
| 2.1 引言 | 第33-34页 |
| 2.2 实验部分 | 第34-36页 |
| 2.2.1 试剂和仪器 | 第34页 |
| 2.2.2 沉积 ZnO 种子层 | 第34-35页 |
| 2.2.3 旋涂电子束刻蚀胶 | 第35页 |
| 2.2.4 通过电子束刻蚀技术构筑图案化结构 | 第35页 |
| 2.2.5 水热生长 ZnO | 第35-36页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第36-44页 |
| 2.3.1 种子层形貌和图案化孔洞表征 | 第36-38页 |
| 2.3.2 在 ITO 基底上生长 ZnO 纳米棒阵列 | 第38-39页 |
| 2.3.3 在硅片上生长 ZnO 纳米棒阵列 | 第39-40页 |
| 2.3.4 在氧化铝基底上生长 ZnO 纳米棒阵列 | 第40-42页 |
| 2.3.5 ZnO 膜上生长 ZnO 纳米棒阵列 | 第42-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第三章 ZnO 纳米棒的形貌调控 | 第47-57页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 实验部分 | 第48页 |
| 3.2.1 试剂和仪器 | 第48页 |
| 3.2.2 调控 ZnO 纳米棒的形貌 | 第48页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第48-53页 |
| 3.3.1 控制前驱体浓度生长 ZnO 纳米棒 | 第49-50页 |
| 3.3.2 控制温度生长 ZnO 纳米棒 | 第50页 |
| 3.3.3 控制时间生长 ZnO 纳米棒 | 第50-52页 |
| 3.3.4 添加 PEI 和氨水调控生长 ZnO 纳米棒 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 图案化 ZnO 纳米棒阵列的垂直转移及其光电性质 | 第57-65页 |
| 4.1 引言 | 第57-58页 |
| 4.2 实验部分 | 第58-59页 |
| 4.2.1 样品的测试与表征 | 第58页 |
| 4.2.2 旋涂电子束刻蚀胶 | 第58页 |
| 4.2.3 RIE 刻蚀出 ZnO 纳米棒顶端 | 第58-59页 |
| 4.2.4 纳米压印辅助银胶粘附 | 第59页 |
| 4.2.5 剥离阵列 | 第59页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第59-64页 |
| 4.3.1 ZnO 纳米棒阵列的转移 | 第60-63页 |
| 4.3.2 I-V 测试 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
