| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 前言 | 第10-11页 |
| 1.2 气敏传感器简介 | 第11-14页 |
| 1.2.1 气敏传感器的定义 | 第11-12页 |
| 1.2.2 气敏传感器的分类 | 第12页 |
| 1.2.3 气敏传感器的表征参数 | 第12-14页 |
| 1.3 多孔硅气敏传感器 | 第14-17页 |
| 1.3.1 多孔硅简介 | 第14页 |
| 1.3.2 多孔硅气敏传感器的研究概况 | 第14-17页 |
| 1.4 一维金属氧化物半导体纳米材料气敏传感器 | 第17-21页 |
| 1.4.1 金属氧化物半导体纳米材料介绍 | 第17页 |
| 1.4.2 一维金属氧化物半导体纳米材料气敏传感器概况 | 第17-21页 |
| 1.5 金属氧化物纳米材料/多孔硅复合结构气敏传感器的研究进展 | 第21-22页 |
| 1.6 本论文的研究目标与内容 | 第22-24页 |
| 第二章 基本理论知识 | 第24-35页 |
| 2.1 多孔硅的制备方法 | 第24-26页 |
| 2.1.1 原电池法 | 第24-25页 |
| 2.1.2 阳极腐蚀法 | 第25页 |
| 2.1.3 双槽电化学腐蚀法 | 第25-26页 |
| 2.2 多孔硅气敏传感器的气敏机理 | 第26-28页 |
| 2.2.1 表面吸附 | 第26-27页 |
| 2.2.2 气体表面吸附模型 | 第27-28页 |
| 2.3 一维氧化钨纳米材料的制备方法 | 第28-32页 |
| 2.4 一维氧化钨纳米材料的气敏机理 | 第32-35页 |
| 2.4.1 单根纳米线的气敏机理 | 第33-34页 |
| 2.4.2 纳米线网状结构的气敏机理 | 第34-35页 |
| 第三章 实验设备介绍 | 第35-43页 |
| 3.1 高温真空管式炉 | 第35-36页 |
| 3.1.1 高温真空管式炉的介绍 | 第35-36页 |
| 3.1.2 高温真空管式炉的操作流程 | 第36页 |
| 3.2 真空磁控溅射镀膜机 | 第36-39页 |
| 3.2.1 真空磁控溅射镀膜机的介绍 | 第36-37页 |
| 3.2.2 真空磁控溅射镀膜机理 | 第37页 |
| 3.2.3 真空磁控溅射的步骤 | 第37页 |
| 3.2.4 真空磁控溅射镀膜的条件参数 | 第37-39页 |
| 3.3 气敏测试系统 | 第39-40页 |
| 3.4 微观表征与分析手段 | 第40-43页 |
| 3.4.1 场发射扫描电子显微镜(FESEM)技术 | 第40页 |
| 3.4.2 X 射线衍射(XRD)技术 | 第40-41页 |
| 3.4.3 透射电子显微镜(TEM)技术 | 第41页 |
| 3.4.4 拉曼光谱(Raman)技术 | 第41-43页 |
| 第四章 热蒸发法氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的制备 | 第43-58页 |
| 4.1 多孔硅的制备 | 第43-44页 |
| 4.1.1 硅片的清洗 | 第43页 |
| 4.1.2 多孔硅的制备 | 第43-44页 |
| 4.2 热蒸发法制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的影响因素 | 第44-53页 |
| 4.2.1 本体真空度对氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的影响 | 第45-47页 |
| 4.2.2 源温度对氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.3 氩氧比对氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.4 基底温度对氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的影响 | 第49-52页 |
| 4.2.5 生长时间对氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.6 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构最佳制备条件参数 | 第53页 |
| 4.3 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的微观表征与特性分析 | 第53-56页 |
| 4.3.1 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的断面 SEM 表征 | 第53-54页 |
| 4.3.2 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的 XRD 表征 | 第54-55页 |
| 4.3.3 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的 TEM 表征 | 第55-56页 |
| 4.3.4 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的 Raman 光谱 | 第56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 热蒸发法制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的性能研究 | 第58-68页 |
| 5.1 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备 | 第58-59页 |
| 5.1.1 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的制备 | 第58页 |
| 5.1.2 电极的制备 | 第58-59页 |
| 5.2 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的性能研究 | 第59-65页 |
| 5.2.1 工作温度对氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的影响 | 第59-60页 |
| 5.2.2 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器对 NO2气敏性能研究 | 第60-63页 |
| 5.2.3 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的气体选择性研究 | 第63-64页 |
| 5.2.4 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的稳定性研究 | 第64-65页 |
| 5.3 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的机理研究 | 第65-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 热退火钨薄膜法制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构及其气敏性能研究 | 第68-78页 |
| 6.1 本章内容概述 | 第68-69页 |
| 6.2 多孔硅的制备 | 第69页 |
| 6.3 钨薄膜/多孔硅复合结构的制备 | 第69页 |
| 6.4 热退火钨薄膜法制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的影响因素 | 第69-73页 |
| 6.4.1 退火温度对氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的影响 | 第70-71页 |
| 6.4.2 钨薄膜的厚度对氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的影响 | 第71-72页 |
| 6.4.3 热退火钨薄膜法制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的最佳条件参数 | 第72-73页 |
| 6.5 热退火钨薄膜法制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的微观表征与特性分析 | 第73-74页 |
| 6.5.1 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的 SEM 表征 | 第73页 |
| 6.5.2 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的 XRD 表征 | 第73-74页 |
| 6.6 热退火钨薄膜法制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的性能研究 | 第74-77页 |
| 6.6.1 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备 | 第74页 |
| 6.6.2 工作温度对氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的影响 | 第74-75页 |
| 6.6.3 氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器对 NO2气敏性能研究 | 第75-77页 |
| 6.7 本章小结 | 第77-78页 |
| 第七章 总结与展望 | 第78-81页 |
| 7.1 总结 | 第78-79页 |
| 7.2 展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-86页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第86-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
