| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第8-19页 |
| 1.1 阻变存储器的简介 | 第8-13页 |
| 1.1.1 电介质中的阻变现象 | 第8-9页 |
| 1.1.2 阻变存储材料 | 第9-11页 |
| 1.1.3 阻变存储机制介绍 | 第11-13页 |
| 1.2 阻变存储器的发展状况及其面临问题 | 第13-17页 |
| 1.2.1 阻变器件的发展现状 | 第13-16页 |
| 1.2.2 阻变存储器研究面临的问题 | 第16-17页 |
| 1.3 论文选题依据与研究内容 | 第17-18页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第17-18页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第18页 |
| 1.4 本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 阻变存储器的制备工艺及测试表征 | 第19-31页 |
| 2.1 薄膜制备原理及工艺流程 | 第19-22页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理 | 第19-21页 |
| 2.1.2 薄膜制备流程及参数 | 第21-22页 |
| 2.1.2.1 衬底清洗 | 第21页 |
| 2.1.2.2 薄膜制备 | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜物性表征 | 第22-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第22-23页 |
| 2.2.2 光学性能测试(UV-VIS) | 第23-24页 |
| 2.2.3 X射线光电子谱(XPS) | 第24-25页 |
| 2.3 原型存储器件制备及其测试 | 第25-30页 |
| 2.3.1 器件结构设计 | 第25-26页 |
| 2.3.2 器件制备工艺流程 | 第26-28页 |
| 2.3.3 阻变特性测试方法 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 单氧化层存储器的阻变特性 | 第31-39页 |
| 3.1 薄膜物相及光学特性研究 | 第31-33页 |
| 3.2 基于单层HfO_x存储器的阻变特性 | 第33-35页 |
| 3.3 基于单层ZnO存储器的阻变特性 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 叠层HfO_x/ZnO存储器阻变行为及其机理分析 | 第39-45页 |
| 4.1 叠层HfO_x/ZnO存储器阻变特性研究 | 第39-40页 |
| 4.2 叠层HfO_x/ZnO存储器阻变机理研究 | 第40-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 叠层HfO_x/ZnO存储器阻变改性研究 | 第45-58页 |
| 5.1 叠层HfO_x/ZnO对存储器热稳定性的影响 | 第45-47页 |
| 5.2 叠层HfO_x/ZnO对存储器数据保持特性的影响 | 第47-48页 |
| 5.3 叠层HfO_x/ZnO对存储器功耗的影响 | 第48-50页 |
| 5.4 等离子体修饰对叠层HfO_x/ZnO存储器功耗及低阻态I-V特性的影响 | 第50-52页 |
| 5.5 等离子体修饰对叠层HfO_x/ZnO存储器改性的机理研究 | 第52-56页 |
| 5.6 本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 个人简历、在学期间的研究结果及发表的学术论文 | 第66页 |
