SiCN薄膜的制备及其光学参数的研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
第一章 绪论 | 第8-21页 |
·SiCN薄膜的研究背景 | 第8-10页 |
·SiCN薄膜的特性 | 第10-14页 |
·SiCN薄膜的光学性质 | 第10-12页 |
·SiCN薄膜的机械性质 | 第12-13页 |
·SiCN薄膜的电学性质 | 第13-14页 |
·SiCN薄膜的理论 | 第14-21页 |
·SiCN的理论模型 | 第14-19页 |
·基于理论的实验 | 第19-21页 |
第二章 SiCN薄膜的制备 | 第21-37页 |
·薄膜制备方法概述 | 第21-26页 |
·物理制备方法 | 第21-23页 |
·化学气相沉积 | 第23-26页 |
·SiCN薄膜的制备 | 第26-33页 |
·实验仪器及装置 | 第26-29页 |
·SiCN薄膜的制备流程 | 第29-33页 |
·HFCVD系统中SiCN薄膜生长的影响因子 | 第33-37页 |
·衬底材料的选取及衬底的预处理 | 第33-34页 |
·衬底材料在反应腔内的再处理 | 第34页 |
·气源气体的选择 | 第34-35页 |
·热源温度、衬底温度 | 第35页 |
·反应腔压强 | 第35-37页 |
第三章 SiCN薄膜的表征 | 第37-47页 |
·表征薄膜材料的设备 | 第37-40页 |
·表面形貌—扫描电子显微镜和原子力显微镜 | 第37-38页 |
·晶体结构—X射线衍射 | 第38页 |
·微观组织和结构—透射电子显微镜 | 第38-39页 |
·元素分析—X射线光电子能谱 | 第39页 |
·分子的特征结构-傅立叶红外吸收光谱 | 第39-40页 |
·SiCN薄膜表征 | 第40-47页 |
·SiCN薄膜的表征 | 第40-44页 |
·SiCN薄膜制备工艺及影响薄膜性能因素的探讨 | 第44-47页 |
第四章 SiCN薄膜的光学参数及分析 | 第47-70页 |
·实验仪器 | 第47-48页 |
·理论模型 | 第48-50页 |
·测量数据及分析 | 第50-68页 |
·N元素对薄膜光学参数的影响 | 第50-56页 |
·Si元素对薄膜光学参数的影响 | 第56-62页 |
·C元素对薄膜光学参数的影响 | 第62-68页 |
·测量结果的小结 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-76页 |
攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第76-77页 |
致谢 | 第77-78页 |