氢含量对非晶硅薄膜热光效应影响的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 基于热光特性的光电子器件概述 | 第10-13页 |
| 1.2 研究意义 | 第13-15页 |
| 1.3 本文的研究思路及内容安排 | 第15-16页 |
| 第二章 非晶硅薄膜氢含量与热光效应关系的理论研究 | 第16-29页 |
| 2.1 非晶硅薄膜的结构及H含量的基础理论 | 第16-19页 |
| 2.1.1 非晶硅薄膜结构的基本特点 | 第16-17页 |
| 2.1.2 非晶硅薄膜的Si-H组态及H含量 | 第17-19页 |
| 2.2 热光效应的物理原理 | 第19-21页 |
| 2.3 非晶硅薄膜氢含量与热光系数的建模仿真 | 第21-28页 |
| 2.3.1 非晶硅薄膜热光系数的单振荡器模型 | 第22-24页 |
| 2.3.2 氢含量与热光系数关系的建立 | 第24-26页 |
| 2.3.3 氢含量对热光系数影响的仿真分析 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 非晶硅热光效应研究的相关测试技术 | 第29-36页 |
| 3.1 国内外测试方法的发展现状 | 第29-30页 |
| 3.2 测试平台的搭建 | 第30-32页 |
| 3.3 非晶硅薄膜其他性能表征方法 | 第32-35页 |
| 3.3.1 傅里叶红外光谱法 | 第32-34页 |
| 3.3.2 FILMeasure-20光谱分析法 | 第34页 |
| 3.3.3 扫描电子显微镜法 | 第34-35页 |
| 3.3.4 X射线衍射法 | 第35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 氢含量对热处理非晶硅薄膜热光效应的影响 | 第36-53页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 薄膜的制备及实验参数设计 | 第36-41页 |
| 4.2.1 PECVD制备非晶硅薄膜 | 第36-40页 |
| 4.2.2 实验参数的设计 | 第40-41页 |
| 4.3 不同退火温度对薄膜氢含量的影响 | 第41-47页 |
| 4.4 热处理对非晶硅薄膜热光系数的影响 | 第47-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 氢含量对N掺杂非晶硅薄膜热光效应的影响 | 第53-63页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 实验参数的设计 | 第53页 |
| 5.3 不同掺杂比下薄膜的H含量及性能的表征 | 第53-59页 |
| 5.4 N掺杂对非晶硅薄膜热光系数的影响 | 第59-62页 |
| 5.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结 | 第63-65页 |
| 6.1 工作总结 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第70-71页 |
