| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 有机半导体简介 | 第10-14页 |
| 1.1.1 有机半导体材料的诞生与发展 | 第11-12页 |
| 1.1.2 有机半导体材料的分类 | 第12-13页 |
| 1.1.3 有机半导体材料的应用 | 第13-14页 |
| 1.2 载流子迁移率简介 | 第14-15页 |
| 1.3 课题的意义及研究内容 | 第15-16页 |
| 2 理论与计算方法 | 第16-24页 |
| 2.1 量子化学简介 | 第16页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第16-18页 |
| 2.2.1 HohenBerg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 Koho-Sham方程 | 第18页 |
| 2.3 载流子迁移理论模型 | 第18-19页 |
| 2.3.1 能带模型 | 第18-19页 |
| 2.3.2 极化子模型(Holstein-Peierls) | 第19页 |
| 2.3.3 跳跃模型 | 第19页 |
| 2.4 计算方法 | 第19-24页 |
| 2.4.1 载流子迁移率 | 第19-20页 |
| 2.4.2 迁移率各向异性 | 第20-21页 |
| 2.4.3 重组能 | 第21页 |
| 2.4.4 转移积分 | 第21-22页 |
| 2.4.5 晶体结构预测 | 第22-23页 |
| 2.4.6 电子亲和能、电离能 | 第23-24页 |
| 3 全氟苯修饰寡聚噻吩晶体迁移率计算 | 第24-32页 |
| 3.1 寡聚噻吩简介 | 第24-25页 |
| 3.2 方法与基组 | 第25页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第25-31页 |
| 3.3.1 前线分子轨道与能带间隙 | 第25-27页 |
| 3.3.2 重组能、电离能与电子亲和能 | 第27-28页 |
| 3.3.3 转移积分与电荷迁移率 | 第28-31页 |
| 3.4 小结 | 第31-32页 |
| 4 TPB及衍生物的电子迁移率计算 | 第32-42页 |
| 4.1 TPB体系简介 | 第32-33页 |
| 4.2 计算方法 | 第33页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第33-41页 |
| 4.3.1 分子结构 | 第33-34页 |
| 4.3.2 前线分子轨道、电子亲和能及重组能 | 第34-38页 |
| 4.3.3 平行二聚体结构 | 第38-39页 |
| 4.3.4 转移积分和电荷迁移率 | 第39-41页 |
| 4.4 小结 | 第41-42页 |
| 5 TTPO及其氟化衍生物迁移率计算 | 第42-52页 |
| 5.1 TTPO体系简介 | 第42-43页 |
| 5.2 基组与方法 | 第43页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第43-51页 |
| 5.3.1 Wiberg键级 | 第43-44页 |
| 5.3.2 分子结构与重组能 | 第44-45页 |
| 5.3.3 电子结构分析 | 第45-47页 |
| 5.3.4 转移积分与迁移率 | 第47-50页 |
| 5.3.5 迁移率各向异性 | 第50-51页 |
| 5.4 小结 | 第51-52页 |
| 6 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-64页 |
| 附录 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |