| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| §1.1 硅烯研究背景 | 第8-11页 |
| §1.2 硅烯实验制备 | 第11-12页 |
| §1.3 自旋电子学发展简介 | 第12-16页 |
| §1.4 自旋轨道耦合和量子自旋霍尔效应 | 第16-24页 |
| 第二章 硅烯能带 | 第24-32页 |
| §2.1 硅烯晶体结构 | 第24-26页 |
| §2.1.1 石墨烯晶体结构 | 第24-25页 |
| §2.1.2 硅烯晶体结构 | 第25-26页 |
| §2.2 低能近似下硅烯电子哈密顿量 | 第26-32页 |
| §2.2.1 石墨烯哈密顿量 | 第26-28页 |
| §2.2.2 硅烯哈密顿量 | 第28-30页 |
| §2.2.3 外加电场硅烯哈密顿量 | 第30-31页 |
| §2.2.4 外加电场和交换场硅烯哈密顿量 | 第31-32页 |
| 第三章 铁磁硅烯结构中的电子自旋输运 | 第32-46页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| §3.2 模型描述与公式推导 | 第32-36页 |
| §3.3 计算结果与讨论 | 第36-44页 |
| §3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 总结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |