| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-28页 |
| 1.1 HfO_2基高k介电材料及其在微电子工业中应用现状 | 第7-13页 |
| 1.2 HfO_2基薄膜铁电材料研究现状 | 第13-20页 |
| 1.2.1 电介质的极化和铁电材料 | 第13-15页 |
| 1.2.2 HfO_2基新型铁电薄膜的发现与研究现状 | 第15-20页 |
| 1.3 二氧化铪薄膜制备方法 | 第20-24页 |
| 1.3.1 原子层沉积法（ALD） | 第20页 |
| 1.3.2 溶胶-凝胶法（Sol-Gel） | 第20页 |
| 1.3.3 物理气相沉积法（PVD） | 第20-23页 |
| 1.3.4 射频反应磁控溅射原理 | 第23-24页 |
| 1.4 TiN薄膜的研究现状 | 第24-26页 |
| 1.4.1 TiN薄膜介绍 | 第24-25页 |
| 1.4.2 TiN薄膜的制备方法和工艺 | 第25-26页 |
| 1.4.3 TiN薄膜的应用 | 第26页 |
| 1.5 本论文研究内容与目的 | 第26-28页 |
| 第二章 实验部分 | 第28-41页 |
| 2.1 实验试剂与仪器 | 第28-32页 |
| 2.1.1 常用试剂与耗材 | 第28-29页 |
| 2.1.2 氮化钛薄膜电极真空溅射系统 | 第29-30页 |
| 2.1.3 二氧化铪基薄膜样品制备系统 | 第30-31页 |
| 2.1.4 快速退火炉 | 第31-32页 |
| 2.2 薄膜性能的表征 | 第32-37页 |
| 2.2.1 薄膜成分分析 | 第32页 |
| 2.2.2 薄膜表面形貌分析 | 第32页 |
| 2.2.3 薄膜晶体结构分析 | 第32-33页 |
| 2.2.4 薄膜厚度分析 | 第33-34页 |
| 2.2.5 薄膜电极四探针测量原理 | 第34-35页 |
| 2.2.6 薄膜电容器电性能测试原理 | 第35-37页 |
| 2.3 MIM结构电容器的制备 | 第37-41页 |
| 2.3.1 硅片清洗标准步骤 | 第37-38页 |
| 2.3.2 掩膜版的设计 | 第38-39页 |
| 2.3.3 MIM结构薄膜电容器的集成 | 第39-41页 |
| 第三章 TiN薄膜电极的制备 | 第41-48页 |
| 3.1 TiN薄膜成分的分析 | 第41-42页 |
| 3.2 沉积温度对TiN薄膜物相、表面粗糙度、厚度以及电阻率的影响 | 第42-45页 |
| 3.2.1 沉积温度对TiN薄膜物相的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.2 沉积温度对TiN薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| 3.2.3 沉积温度对TiN薄膜厚度及电阻率的影响 | 第44-45页 |
| 3.3 超薄TiN薄膜电极的制备 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 中频反应磁控溅射法制备Y掺杂HfO_2薄膜 | 第48-59页 |
| 4.1 射频溅射功率对Y掺杂含量、薄膜晶相、密度和表面状态的影响 | 第48-54页 |
| 4.1.1 射频溅射功率对Y掺杂浓度的影响 | 第48-50页 |
| 4.1.2 Y掺杂含量对薄膜晶相结构的影响 | 第50-52页 |
| 4.1.3 Y掺杂含量对薄膜密度及表面状态的影响 | 第52-54页 |
| 4.2 沉积时间对薄膜厚度、薄膜物相以及表面糙粗度的影响 | 第54-58页 |
| 4.2.1 沉积时间对薄膜厚度的影响 | 第54-56页 |
| 4.2.2 沉积时间对薄膜物相的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.3 沉积时间对薄膜表面粗糙度的影响 | 第57-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 Y:HfO_2薄膜电容器的集成及其电学性能测试 | 第59-64页 |
| 5.1 不同溅射时间的Y:HfO_2薄膜电学性能测试 | 第59-60页 |
| 5.2 不同Y掺杂含量的Y:HfO_2薄膜电学性能测试 | 第60-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
