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直流磁控反应溅射法制备YYC缓冲层

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 概述第9-20页
   ·引言第9-10页
   ·YBCO 超导材料的应用第10-12页
     ·强电领域的应用第10-12页
     ·弱电领域的应用第12页
   ·高温超导带材的研究现状第12-15页
     ·第一代Bi 系高温超导带材研究现状第12-13页
     ·第二代Y 系高温超导带材研究现状第13-15页
   ·缓冲层的选择与制备方法第15-18页
     ·缓冲层材料的选择第15-17页
     ·缓冲层的制备方法第17-18页
   ·本论文的选题依据和研究思路第18-20页
第二章 实验原理和方法第20-30页
   ·直流磁控反应溅射法原理第20-21页
   ·实验装置第21-24页
     ·实验使用的靶材第22页
     ·实验使用的基带第22-24页
     ·实验使用的气体第24页
   ·实验中采用的表征方法第24-30页
     ·YYC 缓冲层的结构表征第25-26页
     ·YYC 缓冲层的形貌表征第26-27页
       ·原子力显微镜分析第26页
       ·扫描电子显微镜分析第26-27页
     ·YYC 缓冲层的均匀性表征第27-28页
     ·YBCO 超导层的电性能表征第28-30页
第三章 种子层的制备研究第30-43页
   ·Y_2O_3 种子层的制备研究第30-39页
     ·沉积温度的影响第30-33页
     ·水分压的影响第33-34页
     ·工作气压的影响第34-35页
     ·基带卷绕速率的影响第35-39页
   ·CeO_2 种子层与Y_2O_3 种子层的对比研究第39-41页
     ·沉积温度对CeO_2 种子层的影响第39-40页
     ·卷绕速率对CeO_2 种子层的影响第40-41页
   ·本章小结第41-43页
第四章 YYC 三层缓冲层的制备研究第43-58页
   ·阻挡层YSZ 的生长制备研究第43-44页
   ·模板层CeO_2 的生长制备研究第44-47页
     ·CeO_2 模板层的结构与表面形貌分析第45-46页
     ·CeO_2 模板层电子背散射衍射分析第46-47页
   ·YYC 缓冲层的双面一致性分析第47-50页
   ·YYC 缓冲层带材的均匀性分析第50-51页
   ·缓冲层上的YBCO 带材的研究第51-56页
     ·模板层对YBCO 的生长影响第51-53页
     ·阻挡层对YBCO 的生长影响第53-54页
     ·种子层对YBCO 的生长影响第54-56页
   ·本章小结第56-58页
第五章 结论第58-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-65页
攻硕期间取得的研究成果第65-66页

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