| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 自旋电子学简述 | 第10-14页 |
| 1.2 半金属铁磁材料 | 第14-17页 |
| 1.3 拓扑绝缘体简介 | 第17-22页 |
| 1.4 本文的工作 | 第22-23页 |
| 2 理论方法 | 第23-34页 |
| 2.1 Born-Oppenheimer近似 | 第23-24页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第24-28页 |
| 2.3 交换关联能量泛函 | 第28-29页 |
| 2.4 全势线性缀加平面波方法 | 第29-34页 |
| 3 全霍伊斯勒合金Co_2VGa表面半金属性研究 | 第34-53页 |
| 3.1 薄膜表面的自旋极化 | 第34-37页 |
| 3.2 Co_2VGa(111)表面的电子结构和半金属性 | 第37-45页 |
| 3.3 Co_2VGa(001)表面的电子结构及掺杂诱发的半金属性 | 第45-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 4 Co2VGa/PbS异质结(111)方向电子结构及半金属性研究 | 第53-64页 |
| 4.1 霍伊斯勒合金/半导体异质结界面的自旋极化 | 第53-56页 |
| 4.2 Co_2VGa/PbS界面(111)方向电子结构及半金属性 | 第56-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 5 全霍伊斯勒合金Co2VAl块材和(111)表面半金属性研究 | 第64-76页 |
| 5.1 Co_2VAl块材的磁基态及电子结构 | 第65-67页 |
| 5.2 Co_2VAl 111表面的电子结构及半金属性 | 第67-74页 |
| 5.3 本章小结 | 第74-76页 |
| 6 HgTe晶格扭曲产生的拓扑绝缘相研究 | 第76-86页 |
| 6.1 三维拓扑绝缘体 | 第76-78页 |
| 6.2 HgTe的电子结构 | 第78-79页 |
| 6.3 HgTe的拓扑绝缘相变 | 第79-85页 |
| 6.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 7 总结和展望 | 第86-89页 |
| 7.1 全文总结 | 第86-87页 |
| 7.2 下一步的工作和展望 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-103页 |
| 附录1 攻读博士学位期间已发表或正在完成的学术论文 | 第103-104页 |
| 附录2 攻读博士学位期间所获奖励 | 第104页 |
