| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 课题背景 | 第11页 |
| 1.2 SnO_2薄膜的研究进展 | 第11-13页 |
| 1.2.1 氧化铟锡薄膜 | 第12页 |
| 1.2.2 氧化锡锑薄膜 | 第12-13页 |
| 1.2.3 氧化锡氟薄膜 | 第13页 |
| 1.3 FTO 导电薄膜的研究进展 | 第13页 |
| 1.4 FTO 导电薄膜的制备方法 | 第13-16页 |
| 1.4.1 化学气相沉积法 | 第14页 |
| 1.4.2 喷雾热解法 | 第14页 |
| 1.4.3 溶胶凝胶法 | 第14-16页 |
| 1.5 F 掺杂 SnO_2晶体的机理 | 第16-17页 |
| 1.5.1 SnO_2的结构 | 第16页 |
| 1.5.2 F 掺杂对 SnO_2晶体性质的影响 | 第16-17页 |
| 1.6 本文的研究内容及目的意义 | 第17-18页 |
| 第二章 实验制备与表征 | 第18-28页 |
| 2.1 实验原料及仪器设备 | 第18-20页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第18-19页 |
| 2.1.2 仪器设备 | 第19-20页 |
| 2.2 实验方法 | 第20-22页 |
| 2.2.1 Si 基玻璃的处理 | 第20页 |
| 2.2.2 氢氟酸溶液的配制 | 第20页 |
| 2.2.3 溶胶的制备 | 第20-21页 |
| 2.2.4 FTO 导电薄膜的制备 | 第21-22页 |
| 2.2.5 实验流程 | 第22页 |
| 2.3 测试仪器及条件 | 第22-27页 |
| 2.3.1 X 射线衍射仪 | 第22-23页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第23页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜 | 第23页 |
| 2.3.4 差热热重热分析仪 | 第23-24页 |
| 2.3.5 红外光谱分析仪 | 第24页 |
| 2.3.6 紫外可见光分析仪 | 第24-25页 |
| 2.3.7 霍尔效应分析仪 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 F 掺杂 SnO_2纳米晶体的表征分析 | 第28-43页 |
| 3.1 SnO 纳米晶体分析 | 第28-29页 |
| 3.1.1 SnO 纳米晶体物相分析 | 第28页 |
| 3.1.2 SnO 纳米晶体形貌分析 | 第28-29页 |
| 3.2 F 掺杂 SnO_2纳米晶体分析 | 第29-34页 |
| 3.2.1 F 掺杂 SnO_2晶体生成条件分析 | 第29-32页 |
| 3.2.3 F 掺杂 SnO_2晶体物相分析 | 第32-33页 |
| 3.2.4 F 掺杂 SnO_2晶体形貌分析 | 第33页 |
| 3.2.5 F 掺杂 SnO_2晶体元素含量分析 | 第33-34页 |
| 3.3 掺杂对 SnO_2纳米晶体的影响 | 第34-42页 |
| 3.3.1 掺杂浓度对 SnO_2纳米晶体物相的影响 | 第35-38页 |
| 3.3.2 掺杂浓度对 SnO_2晶体元素含量的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.3 掺杂对 SnO_2纳米晶体形貌的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.4 掺杂对 SnO_2纳米晶体内部基团的影响 | 第41-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 FTO 导电薄膜性能分析 | 第43-58页 |
| 4.1 FTO 导电薄膜的表征分析 | 第43-48页 |
| 4.1.1 薄膜溶胶浓度的确定 | 第43-47页 |
| 4.1.2 FTO 导电薄膜的物相分析 | 第47页 |
| 4.1.3 FTO 导电薄膜的元素含量分析 | 第47-48页 |
| 4.2 掺杂浓度对 FTO 导电薄膜的电学性能影响 | 第48-52页 |
| 4.2.1 不同掺杂浓度的霍尔测试 | 第49页 |
| 4.2.2 不同掺杂浓度对载流子浓度的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.3 不同掺杂浓度对迁移率的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.4 不同掺杂浓度对表面电阻的影响 | 第51-52页 |
| 4.3 掺杂浓度对 FTO 导电薄膜的光学性能影响 | 第52-54页 |
| 4.4 透明导电氧化物薄膜的性能指数 | 第54-56页 |
| 4.5 重掺杂下的理论计算与实际掺杂讨论 | 第56-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
