| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 过渡金属二硫化物 | 第15页 |
| 1.2 单层WS_2的性质及应用 | 第15-16页 |
| 1.2.1 电学性质 | 第15页 |
| 1.2.2 光学性质 | 第15页 |
| 1.2.3 传感性能 | 第15-16页 |
| 1.2.4 与石墨烯组成的异质结 | 第16页 |
| 1.3 二维二硫化钨的制备 | 第16-17页 |
| 1.3.1 剥离法 | 第16页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法 | 第16-17页 |
| 1.3.3 水热法 | 第17页 |
| 1.4 第一性原理 | 第17-18页 |
| 1.5 Materials Studio软件介绍 | 第18页 |
| 1.6 论文主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 3d过渡金属掺杂单层WS_2的电子结构与磁性 | 第19-35页 |
| 2.1 研究背景 | 第19页 |
| 2.2 TM掺杂单层WS_2的理论模型与计算方法 | 第19-21页 |
| 2.2.1 理论模型与计算方法 | 第19-20页 |
| 2.2.2 几何结构与能量 | 第20-21页 |
| 2.3 3d-TM掺杂单层WS_2的电子结构 | 第21-24页 |
| 2.4 d过渡金属掺杂单层WS_2的磁性 | 第24-28页 |
| 2.4.1 各掺杂体系的磁性参数 | 第24-25页 |
| 2.4.2 各掺杂体系的自旋极化DOS | 第25-27页 |
| 2.4.3 各掺杂体系的电子自旋密度分布 | 第27-28页 |
| 2.5 不同浓度下Fe掺杂对WS_2电磁特性的影响 | 第28-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-35页 |
| 第三章 4d过渡金属掺杂对单层WS_2光电性能的影响 | 第35-45页 |
| 3.1 4d过渡金属掺杂单层WS_2的电子结构 | 第35-40页 |
| 3.1.1 几何结构与能量 | 第35-36页 |
| 3.1.2 各掺杂体系的能带结构 | 第36-38页 |
| 3.1.3 各掺杂体系的态密度 | 第38-40页 |
| 3.2 Y、Mo掺杂体系差分电荷密度分析 | 第40页 |
| 3.3 4d过渡金属掺杂单层WS_2的光学性质 | 第40-44页 |
| 3.3.1 各掺杂体系的复折射率 | 第41-42页 |
| 3.3.2 各掺杂体系的吸收谱 | 第42-43页 |
| 3.3.3 各掺杂体系的反射谱 | 第43页 |
| 3.3.4 各掺杂体系的损失谱 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 扶手椅型WS_2纳米带的电磁特性 | 第45-57页 |
| 4.1 扶手椅型WS_2纳米带的理论模型与计算方法 | 第45-47页 |
| 4.1.1 理论模型与计算方法 | 第45-46页 |
| 4.1.2 纳米带结构与稳定性 | 第46-47页 |
| 4.2 不同边缘H修饰方式对AWS_2NR电子结构的影响 | 第47-51页 |
| 4.2.1 对称修饰对AWS_2NR电子结构的影响 | 第47-49页 |
| 4.2.2 不对称修饰对AWS_2NR电子结构的影响 | 第49-51页 |
| 4.3 不同边缘H修饰方式的AWS_2NR的磁学性质 | 第51-54页 |
| 4.3.1 不同H修饰AWS_2NR的磁性参数 | 第51-52页 |
| 4.3.2 不同H修饰AWS_2NR的极化态密度 | 第52-53页 |
| 4.3.3 不同H修饰AWS_2NR的电子自旋密度分布 | 第53-54页 |
| 4.4 本章总结 | 第54-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 作者简介 | 第65-66页 |
