| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 第一章 金属表面等离子体基本理论和应用简介 | 第11-17页 |
| 1.1 表面等离子基本理论简介 | 第11-13页 |
| 1.1.1 表面等离子体极化激元 | 第11-12页 |
| 1.1.2 金属局域表面等离子体 | 第12-13页 |
| 1.2 表面等离子的相关应用 | 第13-17页 |
| 第二章ZnO材料的基本性质及其在紫外光发射器件方面的优势和研究进展 | 第17-26页 |
| 2.1 ZnO材料的基本性质及其在紫外光发射器件方面的优势 | 第17-19页 |
| 2.1.1 ZnO材料的基本性质 | 第17-18页 |
| 2.1.2 ZnO材料在紫外光发射器件方面的优势 | 第18-19页 |
| 2.2 ZnO基紫外光发射器件的研究进展 | 第19-23页 |
| 2.2.1 ZnO基同质结光发射器件的研究进展 | 第19-21页 |
| 2.2.2 ZnO基异质结光发射器件的研究进展 | 第21-23页 |
| 2.3 利用金属局域表面等离子体修饰的ZnO基光发射器件研究现状 | 第23-24页 |
| 2.4 本论文的研究内容和意义 | 第24-26页 |
| 第三章ZnO材料制备方法及样品表征手段 | 第26-30页 |
| 3.1 ZnO材料的制备方法 | 第26-27页 |
| 3.1.1 脉冲激光沉积法（PLD） | 第26-27页 |
| 3.1.2 水热合成方法 | 第27页 |
| 3.2 样品表征方法 | 第27-30页 |
| 第四章Ag纳米粒子修饰的ZnO/SiO2核壳纳米线阵列紫外光发射器件的制备和特性研究 | 第30-48页 |
| 4.1 Ag纳米粒子修饰的ZnO/SiO2核壳纳米线阵列的制备 | 第30-38页 |
| 4.1.1 ZnO/SiO2核壳纳米线阵列的制备 | 第31-32页 |
| 4.1.2 金属纳米粒子的选取及其共振特性的研究 | 第32-33页 |
| 4.1.3 Ag纳米粒子修饰的ZnO/SiO2核壳纳米线阵列的制备和微结构分析 | 第33-36页 |
| 4.1.4 SiO2壳层厚度对Ag局域表面等离子体增强ZnO纳米线阵列结构光致发光特性的影响 | 第36-38页 |
| 4.2 Ag纳米粒子修饰的ZnO/SiO2核壳纳米线阵列器件的紫外电致发光特性研究 | 第38-47页 |
| 4.2.1 Ag纳米粒子修饰的ZnO/SiO2核壳纳米线阵列光发射器件的制备 | 第39-40页 |
| 4.2.2 SiO2壳层厚度对Ag局域表面等离子体修饰的ZnO纳米线阵列结构电致发光特性的影响 | 第40-44页 |
| 4.2.3 Ag NPs修饰的ZnO/SiO2核壳纳米线阵列光发射器件的紫外电致发光特性研究 | 第44-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
