| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-13页 |
| 1.1 引言 | 第6页 |
| 1.2 ZnO基半导体薄膜的发展现状 | 第6-7页 |
| 1.3 ZnO基半导体光电探测器的发展状况及存在的问题 | 第7-12页 |
| 1.4 论文选题依据和主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 ZnO基薄膜及其紫外光电探测器的制备及其性能的研究 | 第13-20页 |
| 2.1 ZnO基薄膜的制备与性质研究 | 第13-15页 |
| 2.2 ZnO紫外光电探测器的制备与性能研究 | 第15-18页 |
| 2.3 小结 | 第18-20页 |
| 第三章 退火对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O紫外光电功能探测器的作用研究 | 第20-28页 |
| 3.1 Mg_(0.2)Zn_(0.8)O紫外光电探测器的制备和退火过程 | 第20页 |
| 3.2 Mg_(0.2)Zn_(0.8)O紫外探测器的性能表征 | 第20-25页 |
| 3.3 退火过程中Mg_(0.2)Zn_(0.8)O紫外光电探测器的性能原理分析 | 第25-27页 |
| 3.4 小结 | 第27-28页 |
| 第四章 双层膜结构的紫外光电功能探测器的制备与研究 | 第28-35页 |
| 4.1 双层膜结构的紫外光电探测器的制备过程 | 第28-29页 |
| 4.2 双层膜结构的紫外探测器的性能表征与讨论 | 第29-34页 |
| 4.3 小结 | 第34-35页 |
| 第五章 三明治结构的紫外光电功能探测器的研究 | 第35-44页 |
| 5.1 三明治结构紫外光电功能探测器的制备过程 | 第35-37页 |
| 5.2 三明治结构的紫外光电探测器的性能表征与讨论 | 第37-43页 |
| 5.3 小结 | 第43-44页 |
| 第六章 控制紫外光电探测器响应度峰值移动的研究 | 第44-51页 |
| 6.1 可控响应度峰值的紫外光电探测器的制备过程 | 第44-45页 |
| 6.2 可控响应度峰值的紫外光电功能探测器的性能表征与讨论 | 第45-50页 |
| 6.3 小结 | 第50-51页 |
| 第七章 结论与展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第57-58页 |
