| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 前言 | 第10-12页 |
| 1.2 电介质材料及其性质 | 第12-17页 |
| 1.2.1 电介质与极化机理 | 第12-14页 |
| 1.2.2 电介质材料的性能及主要表征参数 | 第14-17页 |
| 1.3 埋入式电容电介质材料 | 第17-21页 |
| 1.3.1 聚合物基-铁电陶瓷复合材料 | 第17-18页 |
| 1.3.2 聚合物基-导电相复合材料 | 第18-19页 |
| 1.3.3 聚合物基体导电相@隔绝层复合材料 | 第19-20页 |
| 1.3.4 聚合物基体-铁电陶瓷-导电相复合材料 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第21-24页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第21-23页 |
| 1.4.2 研究目标 | 第23-24页 |
| 第2章 实验方法 | 第24-33页 |
| 2.1 实验试剂及仪器设备 | 第24-26页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第24页 |
| 2.1.2 实验设备与仪器 | 第24-26页 |
| 2.2 样品的制备 | 第26-29页 |
| 2.2.1 聚乙二醇包覆的钛酸钡-铜杂化颗粒的制备 | 第26-27页 |
| 2.2.2 钛酸钡-铜/聚偏二氟乙烯复合电介质材料的制备 | 第27页 |
| 2.2.3 钛酸钡-铜/聚偏二氟乙烯复合材料中各组分含量的测定 | 第27-29页 |
| 2.3 钛酸钡-铜/聚偏二氟乙烯复合材料形貌及性能的表征手段 | 第29-33页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第29页 |
| 2.3.2 X射线衍射分析（XRD） | 第29-30页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜（TEM） | 第30页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱仪（XPS） | 第30页 |
| 2.3.5 傅里叶红外变换光谱（FT-IR） | 第30页 |
| 2.3.6 热重分析测试（TGA） | 第30-31页 |
| 2.3.7 介电性能测试 | 第31页 |
| 2.3.8 击穿强度的测试 | 第31-32页 |
| 2.3.9 电滞回线（D-E）的测试 | 第32-33页 |
| 第3章 PEG-4000 包覆的BT-Cu杂化填料的性能研究 | 第33-41页 |
| 3.1 PEG包覆的BT-Cu杂化颗粒微观形貌研究 | 第33-35页 |
| 3.1.1 扫描电镜图分析 | 第33-34页 |
| 3.1.2 透射电镜图分析 | 第34-35页 |
| 3.2 BT-Cu表面包覆聚合物成分及含量分析 | 第35-38页 |
| 3.2.1 BT-Cu表面包覆聚合物成分分析 | 第35-36页 |
| 3.2.2 BT-Cu表面包覆聚合物含量分析 | 第36-38页 |
| 3.3 BT-Cu杂化颗粒抗氧化性能分析 | 第38-40页 |
| 3.3.1 XRD分析 | 第38-39页 |
| 3.3.2 XPS分析 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 BT-Cu杂化颗粒/PVDF复合材料介电性能研究 | 第41-51页 |
| 4.1 BT-Cu/PVDF复合材料微观形貌分析 | 第41-42页 |
| 4.2 填料含量变化对BT-Cu/PVDF复合材料介电性能的影响 | 第42-44页 |
| 4.3 频率变化对BT-Cu/PVDF复合材料介电性能的影响 | 第44-48页 |
| 4.3.1 频率变化对BT-Cu/PVDF复合材料介电常数及损耗的影响 | 第44-47页 |
| 4.3.2 频率变化对BT-Cu/PVDF复合材料电导率的影响 | 第47-48页 |
| 4.4 温度变化对BT-Cu/PVDF复合材料介电性能的影响 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第5章 BT-Cu/PVDF复合材料储能行为研究 | 第51-55页 |
| 5.1 抗击穿强度的表征 | 第51-52页 |
| 5.2 BT-Cu/PVDF复合材料储能行为的研究 | 第52-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第6章 总结与展望 | 第55-58页 |
| 6.1 总结 | 第55-56页 |
| 6.2 展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第68页 |
