| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 附表1 实验试剂 | 第11-12页 |
| 附表2 表征仪器 | 第12-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-38页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 气敏传感器概述 | 第13-14页 |
| 1.2.1 气敏传感器概念及发展背景 | 第13-14页 |
| 1.2.2 半导体气敏传感器的类型 | 第14页 |
| 1.3 金属氧化物的半导体气敏传感器 | 第14-23页 |
| 1.3.1 金属氧化物的半导体气敏传感器概述及分类 | 第14-17页 |
| 1.3.2 金属氧化物的半导气敏体传感器的气敏机理 | 第17-21页 |
| 1.3.3 金属氧化物半导体气敏传感器评价指标与性能参数 | 第21-23页 |
| 1.4 半导体气敏材料制备与改性 | 第23-31页 |
| 1.4.1 半导体气敏材料的制备方法 | 第24-25页 |
| 1.4.2 半导体气敏材料性能改进 | 第25-31页 |
| 1.5 金属氧化物气敏传感器研究进展及应用 | 第31-34页 |
| 1.6 In_2O_3半导体气敏材料概述及研究应用 | 第34-36页 |
| 1.6.1 In_2O_3半导体气敏材料基本性质及结构概述 | 第34页 |
| 1.6.2 In_2O_3半导体气敏材料的应用领域 | 第34-36页 |
| 1.7 论文选题立意和主要实验内容 | 第36-38页 |
| 第2章 水热法合成In_2O_3粉体及其气敏性探究 | 第38-54页 |
| 2.1 引言 | 第38页 |
| 2.2 实验部分 | 第38-41页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第38-39页 |
| 2.2.2 In_2O_3前驱体的制备 | 第39页 |
| 2.2.3 In_2O_3粉体的制备 | 第39页 |
| 2.2.4 粉体形貌及气敏性能表征 | 第39页 |
| 2.2.5 气敏传感器件制作安装调试和气敏性能测试 | 第39-41页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第41-50页 |
| 2.3.1 In_2O_3粉体形貌及结构表征 | 第41-48页 |
| 2.3.2 In_2O_3纳米粉体器件气敏性探究 | 第48-50页 |
| 2.4 讨论 | 第50-53页 |
| 2.4.1 In_2O_3粉体的生长机理 | 第50-52页 |
| 2.4.2 In_2O_3粉体气敏反应机理 | 第52-53页 |
| 2.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第3章 水热法合成Zn掺杂的In_2O_3粉体及其气敏性研究 | 第54-66页 |
| 3.1 引言 | 第54-55页 |
| 3.2 实验部分 | 第55-56页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第55页 |
| 3.2.2 Zn掺杂In_2O_3前驱体的制备 | 第55页 |
| 3.2.3 Zn掺杂In_2O_3粉体的制备 | 第55页 |
| 3.2.4 粉体形貌及气敏性能表征 | 第55-56页 |
| 3.2.5 气敏传感器件制作安装调试和气敏性能测试 | 第56页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第56-65页 |
| 3.3.1 Zn掺杂In_2O_3粉体形貌与结构表征 | 第56-62页 |
| 3.3.2 Zn掺杂In_2O_3纳米粉体器件气敏性探究 | 第62-64页 |
| 3.3.3 Zn掺杂In_2O_3产物气敏机理 | 第64-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 水热法合成Sn掺杂的In_2O_3粉体及其气敏性研究 | 第66-78页 |
| 4.1 引言 | 第66页 |
| 4.2 实验部分 | 第66-68页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第66页 |
| 4.2.2 Sn掺杂In_2O_3前驱体的制备 | 第66-67页 |
| 4.2.3 Sn掺杂In_2O_3粉体的制备 | 第67页 |
| 4.2.4 形貌结构及气敏性能表征 | 第67页 |
| 4.2.5 气敏传感器件制作安装调试和气敏性能测试 | 第67-68页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第68-77页 |
| 4.3.1 Sn掺杂In_2O_3粉体形貌与结构表征 | 第68-74页 |
| 4.3.2 Sn掺杂In_2O_3纳米粉体器件气敏性探究 | 第74-76页 |
| 4.3.3 Sn掺杂In_2O_3合成产物反应机理 | 第76-77页 |
| 4.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 第5章 结论与展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-99页 |
| 致谢 | 第99页 |
