摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
符号表 | 第11-13页 |
第一章 绪论 | 第13-19页 |
1.1 研究背景 | 第13-14页 |
1.2 卡马西平简介 | 第14-17页 |
1.2.1 卡马西平的性质和用途 | 第14-15页 |
1.2.2 卡马西平的多晶型现象 | 第15-16页 |
1.2.3 卡马西平的研究进展 | 第16-17页 |
1.3 本文的研究意义和研究内容 | 第17-19页 |
第二章 多晶型研究的理论基础 | 第19-37页 |
2.1 多晶型与晶习的理论基础 | 第19-24页 |
2.1.1 晶体结构 | 第19-20页 |
2.1.2 多晶型 | 第20-22页 |
2.1.3 晶习的概念及理论模拟 | 第22-24页 |
2.2 结晶的热力学原理 | 第24-30页 |
2.2.1 溶解度 | 第24-28页 |
2.2.2 过饱和度 | 第28页 |
2.2.3 介稳区 | 第28-30页 |
2.3 在线浓度测量技术在结晶过程中的应用 | 第30-32页 |
2.4 多晶型的影响因素和表征方法 | 第32-36页 |
2.4.1 影响因素 | 第32-34页 |
2.4.2 表征方法 | 第34-36页 |
2.5 本章小结 | 第36-37页 |
第三章 实验方法 | 第37-44页 |
3.1 实验药品 | 第37页 |
3.2 实验仪器 | 第37-38页 |
3.3 实验装置和方法 | 第38-43页 |
3.3.1 卡马西平溶解度的测定 | 第38-39页 |
3.3.2 卡马西平介稳区宽度的测量 | 第39-40页 |
3.3.3 卡马西平结晶过程中浓度的在线测量 | 第40-42页 |
3.3.4 卡马西平的多晶型筛选实验 | 第42页 |
3.3.5 卡马西平晶习的模拟 | 第42-43页 |
3.4 本章小结 | 第43-44页 |
第四章 卡马西平热力学性质的研究 | 第44-54页 |
4.1 卡马西平溶解度测量结果与分析 | 第44-47页 |
4.1.1 溶解度测量结果 | 第44-46页 |
4.1.2 溶解度数据的关联 | 第46-47页 |
4.2 卡马西平介稳区宽度测量结果与分析 | 第47-52页 |
4.2.1 介稳区宽度测量结果 | 第47-48页 |
4.2.2 降温速率对介稳区宽度的影响 | 第48-49页 |
4.2.3 搅拌速率对介稳区宽度的影响 | 第49页 |
4.2.4 温度对介稳区宽度的影响 | 第49-50页 |
4.2.5 卡马西平在乙醇溶剂中的介稳区数据的关联 | 第50-52页 |
4.3 本章小结 | 第52-54页 |
第五章 卡马西平结晶过程的在线浓度测量 | 第54-63页 |
5.1 卡马西平的红外光谱分析 | 第54-55页 |
5.2 模型标定用实验矩阵 | 第55-56页 |
5.3 卡马西平浓度预测模型 | 第56-59页 |
5.3.1 浓度对卡马西平红外光谱的影响 | 第56-57页 |
5.3.2 温度对卡马西平红外光谱的影响 | 第57-58页 |
5.3.3 卡马西平浓度预测模型的建立 | 第58-59页 |
5.3.4 卡马西平浓度预测模型的可靠性分析 | 第59页 |
5.4 卡马西平在线浓度测量分析 | 第59-61页 |
5.4.1 无晶种实验 | 第60页 |
5.4.2 加晶种实验 | 第60-61页 |
5.5 本章小结 | 第61-63页 |
第六章 卡马西平的多晶型筛选和结晶工艺的研究 | 第63-75页 |
6.1 卡马西平多晶型的表征 | 第63-67页 |
6.2 结晶工艺操作条件对卡马西平晶型的影响 | 第67-73页 |
6.2.1 溶剂对卡马西平晶型的影响 | 第67页 |
6.2.2 初始浓度对卡马西平晶型的影响 | 第67-69页 |
6.2.3 降温速率对卡马西平晶型的影响 | 第69-70页 |
6.2.4 搅拌速率对卡马西平晶型的影响 | 第70-71页 |
6.2.5 晶种对卡马西平晶型的影响 | 第71-73页 |
6.3 本章小结 | 第73-75页 |
第七章 卡马西平晶习的模拟 | 第75-82页 |
7.1 力场的选择 | 第75-76页 |
7.2 晶习的模拟与分析 | 第76-80页 |
7.2.1 卡马西平晶型Ⅱ晶习的模拟与分析 | 第76-78页 |
7.2.2 卡马西平晶型Ⅲ晶习的模拟与分析 | 第78-80页 |
7.3 本章小结 | 第80-82页 |
结论 | 第82-85页 |
一、本论文的主要研究成果 | 第82-83页 |
二、后续工作建议 | 第83-85页 |
参考文献 | 第85-92页 |
附录 | 第92-93页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第93-94页 |
致谢 | 第94-95页 |
附件 | 第95页 |