| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 VO_x薄膜的晶体结构与性质 | 第11-15页 |
| 1.2.1 V_2O_3的晶体结构与性质 | 第12页 |
| 1.2.2 VO_2的晶体结构与性质 | 第12-14页 |
| 1.2.3 V_2O_5的晶体结构与性质 | 第14-15页 |
| 1.3 氧化钒的应用 | 第15-17页 |
| 1.4 VO_x薄膜研究现状 | 第17-19页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第19-22页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第19-20页 |
| 1.5.2 论文的研究内容 | 第20-21页 |
| 1.5.3 本论文的内容安排 | 第21-22页 |
| 第二章 VO_x薄膜的制备及表征方法 | 第22-29页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 VO_x薄膜的制备 | 第22-24页 |
| 2.2.1 真空蒸发法 | 第22-23页 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积法 | 第23页 |
| 2.2.3 溶胶-凝胶法 | 第23页 |
| 2.2.4 溅射法 | 第23-24页 |
| 2.3 薄膜表征方法 | 第24-27页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第24-25页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第25-26页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| 2.3.4 四探针测试 | 第26-27页 |
| 2.3.5 薄膜厚度的测量 | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 单层VO_x薄膜的制备及电学性能 | 第29-38页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 磁控溅射装置 | 第29-30页 |
| 3.3 实验的工艺流程 | 第30页 |
| 3.4 溅射氧流量对薄膜电学性能的影响 | 第30-33页 |
| 3.5 退火时间对薄膜电学性能的影响 | 第33-37页 |
| 3.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 VO_x/W/VO_x结构薄膜的制备及性能分析 | 第38-49页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 多层结构的扩散原理 | 第38-39页 |
| 4.3 多层结构薄膜的制备工艺 | 第39-40页 |
| 4.3.1 多层结构的制备 | 第39-40页 |
| 4.3.2 实验工艺流程 | 第40页 |
| 4.4 VO_x/W/VO_x结构薄膜的参数及性能分析 | 第40-48页 |
| 4.4.1 VO_x/W/VO_x结构薄膜的参数 | 第40-42页 |
| 4.4.2 VO_x/W/VO_x结构薄膜的电学性质 | 第42-44页 |
| 4.4.3 VO_x/W/VO_x结构薄膜的组分 | 第44-45页 |
| 4.4.4 VO_x/W/VO_x结构薄膜的结晶状态 | 第45-47页 |
| 4.4.5 VO_x/W/VO_x结构薄膜的形貌 | 第47-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 VO_x/V/VO_x结构薄膜的参数优化及性能分析 | 第49-63页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 多层结构参数的优化 | 第49-55页 |
| 5.2.1 中间层溅射时间对薄膜电学性能的影响 | 第49-51页 |
| 5.2.2 退火时间对薄膜电学性能的影响 | 第51-53页 |
| 5.2.3 退火氧流量对薄膜电学性能的影响 | 第53-55页 |
| 5.3 VO_x/V/VO_x结构薄膜的参数及性能分析 | 第55-62页 |
| 5.3.1 VO_x/V/VO_x结构薄膜的参数 | 第55页 |
| 5.3.2 VO_x/V/VO_x结构薄膜的电学性质 | 第55-57页 |
| 5.3.3 VO_x/V/VO_x结构薄膜的组分 | 第57-59页 |
| 5.3.4 VO_x/V/VO_x结构薄膜的结晶状态 | 第59-61页 |
| 5.3.5 VO_x/V/VO_x结构薄膜的形貌 | 第61-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第63页 |
| 6.2 论文成果 | 第63-64页 |
| 6.3 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻硕期间的研究成果 | 第70页 |
