半导体纳米粒子能隙与拉曼频率尺度效应的研究
| 摘要 | 第3-6页 |
| abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 半导体纳米材料的简介 | 第12-14页 |
| 1.1.1 半导体材料的分类 | 第12-13页 |
| 1.1.2 半导体纳米粒子和纳米晶 | 第13-14页 |
| 1.2 半导体材料能带结构和能隙 | 第14-16页 |
| 1.3 拉曼光谱的原理及应用 | 第16-19页 |
| 1.3.1 拉曼光谱简介 | 第16-17页 |
| 1.3.2 拉曼散射的选择定则 | 第17页 |
| 1.3.3 拉曼光谱的应用 | 第17-18页 |
| 1.3.4 半导体拉曼光谱红移效应 | 第18-19页 |
| 1.4 纳米粒子的形貌与结构 | 第19-21页 |
| 1.5 本论文的研究意义及主要内容 | 第21-22页 |
| 第二章 半导体纳米颗粒能隙的尺度效应 | 第22-34页 |
| 2.1 纳米粒子能隙研究背景 | 第22-24页 |
| 2.2 能隙尺度依赖理论模型的建立 | 第24-27页 |
| 2.3 理论模型结果及分析 | 第27-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 半导体纳米粒子拉曼频率尺度效应研究 | 第34-46页 |
| 3.1 纳米粒子拉曼频率研究背景 | 第34-35页 |
| 3.2 拉曼频率尺度依赖模型的建立 | 第35-38页 |
| 3.3 理论模型结果与分析 | 第38-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 结论与展望 | 第46-48页 |
| 4.1 结论 | 第46-47页 |
| 4.2 创新点 | 第47页 |
| 4.3 工作展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第56页 |
