| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 Ⅲ-N化合物半导体材料与器件 | 第9-27页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 Ⅲ-N化合物半导体材料的物理性质 | 第10-14页 |
| 1.2.1 晶体结构和基本物理性质 | 第10-13页 |
| 1.2.2 能带结构 | 第13-14页 |
| 1.3 Ⅲ-N化合物半导体中的极化效应 | 第14-19页 |
| 1.3.1 自发极化 | 第14-15页 |
| 1.3.2 压电极化 | 第15-18页 |
| 1.3.3 极化对InGaN/GaN量子阱能带的影响 | 第18-19页 |
| 1.4 Ⅲ-N化合物半导体的外延制备方法 | 第19-23页 |
| 1.4.1 Ⅲ-N半导体材料外延技术简介 | 第19-20页 |
| 1.4.2 分子束外延(MBE) | 第20-21页 |
| 1.4.3 氢化物气相外延(HVPE) | 第21-22页 |
| 1.4.4 金属有机化合物气相沉积(MOCVD) | 第22-23页 |
| 1.5 基于Ⅲ-N材料的光电子器件 | 第23-25页 |
| 1.5.1 发光二极管 | 第23-24页 |
| 1.5.2 激光器 | 第24-25页 |
| 1.5.3 太阳能电池 | 第25页 |
| 1.5.4 光电探测器 | 第25页 |
| 1.6 本论文研究内容与安排 | 第25-27页 |
| 第二章 MOCVD技术及薄膜测试表征手段 | 第27-37页 |
| 2.1 MOCVD概述 | 第27页 |
| 2.2 MOCVD反应原理 | 第27-30页 |
| 2.3 MOCVD系统组成 | 第30-31页 |
| 2.4 Veeco P125设备简介 | 第31-32页 |
| 2.5 Veeco K465i | 第32-34页 |
| 2.6 测试表征手段简介 | 第34-36页 |
| 2.6.1 高分辨率X射线衍射仪(HRXRD) | 第34-35页 |
| 2.6.2 光致发光(PL)谱 | 第35-36页 |
| 2.6.3 霍尔(Hall)测量 | 第36页 |
| 2.7 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 Ⅲ-N化合物光电探测器参数与结构 | 第37-47页 |
| 3.1 Ⅲ-N化合物光电探测器简介 | 第37-40页 |
| 3.1.1 概述 | 第37-38页 |
| 3.1.2 光吸收及吸收系数 | 第38-39页 |
| 3.1.3 光电导和光生伏特 | 第39-40页 |
| 3.2 探测器基本性能参数 | 第40-41页 |
| 3.2.1 量子效率和响应率 | 第40页 |
| 3.2.2 噪声等效功率与探测率 | 第40-41页 |
| 3.2.3 响应时间 | 第41页 |
| 3.3 Ⅲ-N半导体探测器结构 | 第41-46页 |
| 3.3.1 光电导型 | 第42-43页 |
| 3.3.2 肖特基势垒型 | 第43-44页 |
| 3.3.3 金属-半导体-金属(MSM)型 | 第44页 |
| 3.3.4 P-N结型和P-i-N型 | 第44-46页 |
| 3.3.5 雪崩二极管型(APD) | 第46页 |
| 3.3.6 光电晶体管型 | 第46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 P-N结量子阱中载流子输运性质的研究 | 第47-61页 |
| 4.1 引言 | 第47-48页 |
| 4.2 实验过程 | 第48-51页 |
| 4.3 P-i-N结构测试结果分析 | 第51-56页 |
| 4.4 N-i-N结构测试结果分析 | 第56-58页 |
| 4.5 实验结果讨论 | 第58-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 半面进气模式对AlGaN材料制备的影响 | 第61-78页 |
| 5.1 引言 | 第61-63页 |
| 5.2 传统进气模式简介 | 第63-64页 |
| 5.3 半面进气模式介绍 | 第64-67页 |
| 5.4 实验过程及结果分析 | 第67-76页 |
| 5.4.1 半面进气模式对GaN材料生长的影响 | 第67-69页 |
| 5.4.2 半面进气模式对AlGaN材料生长的影响 | 第69-71页 |
| 5.4.3 半面进气抑制预反应原理分析 | 第71-73页 |
| 5.4.4 半面进气模式获得的最优化AlGaN材料 | 第73-76页 |
| 5.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 结论 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-95页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
