| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 1 引言 | 第8-17页 |
| 1.1 红外探测技术简介 | 第8-12页 |
| 1.2 铟镓砷红外探测器研究背景 | 第12-13页 |
| 1.3 碲镉汞红外探测器研究背景 | 第13-14页 |
| 1.4 雪崩光电二极管简介 | 第14-16页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 APD模拟仿真方法与基本理论 | 第17-26页 |
| 2.1 器件仿真模型及方法 | 第17-20页 |
| 2.1.1 数值仿真模型 | 第17-18页 |
| 2.1.2 Sentaurus TCAD模拟仿真平台简介 | 第18-19页 |
| 2.1.3 研究技术路线 | 第19-20页 |
| 2.2 APD器件暗电流基本理论 | 第20-25页 |
| 2.2.1 扩散电流 | 第21页 |
| 2.2.2 产生-复合电流 | 第21-24页 |
| 2.2.3 隧穿电流 | 第24页 |
| 2.2.4 碰撞离化电流 | 第24-25页 |
| 2.2.5 表面漏电流 | 第25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 InGaAs/InP雪崩光电二极管的暗电流分析 | 第26-33页 |
| 3.1 InGaAs/InP雪崩光电二极管简介 | 第26-27页 |
| 3.2 器件结构 | 第27-29页 |
| 3.3 吸收层参数以及温度对暗电流的影响 | 第29-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 4 平面结/台面结HgCd Te雪崩光电二极管特性研究 | 第33-41页 |
| 4.1 碲镉汞电子雪崩二极管的基本原理 | 第33-35页 |
| 4.2 器件结构与物理模型 | 第35-36页 |
| 4.3 器件参数对平面结/台面结暗电流与增益特性的影响 | 第36-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 5 总结和展望 | 第41-43页 |
| 5.1 结论 | 第41页 |
| 5.2 展望 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第47页 |
