首页--数理科学和化学论文--化学论文--物理化学(理论化学)、化学物理学论文

基于Bi2O3、CuO、NiO半导体和Cu电极的第一性原理研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第13-28页
    1.1 前言第13-14页
    1.2 光催化材料第14-19页
        1.2.1 Bi_2O_3第14-17页
        1.2.2 CuO和NiO第17-19页
    1.3 电还原CO_2材料-Cu电极第19-22页
    1.4 本论文的研究思想和研究内容第22-24页
    参考文献第24-28页
第二章 计算原理与方法第28-49页
    2.1 多粒子体系的薛定谔方程第28-29页
    2.2 两种近似方法第29-32页
        2.2.1 Born-Oppenheimer绝热近似第29-30页
        2.2.2 Hartree-Fock近似第30-32页
            2.2.2.1 Hartree近似第30-31页
            2.2.2.2 Hartree-Fock近似第31-32页
    2.3 密度泛函理论第32-35页
        2.3.1 Tomas-Fermi模型第32-33页
        2.3.2 Tomas- Fermi- Dirac模型第33页
        2.3.3 Hohenberg-Kohn定理第33-34页
        2.3.4 Kohn-Sham方程第34-35页
    2.4 交换关联泛函第35-38页
        2.4.1 局域密度近似(LDA)第36-37页
        2.4.2 广义梯度近似(GGA)第37页
        2.4.3 轨道泛函与杂化泛函第37-38页
    2.5 Kohn-Sham方程求解第38-40页
        2.5.1 平面波方法第38-39页
        2.5.2 赝势方法第39-40页
    2.6 计算方法第40-43页
        2.6.1 结构优化方法第40页
        2.6.2 过渡态的计算方法第40-43页
            2.6.2.1 基于初猜结构的方法第40-41页
            2.6.2.2 基于反应物产物结构的方法第41-43页
    2.7 密度泛函常用的软件包第43-45页
    参考文献第45-49页
第三章 共掺杂增强α-Bi_2O_3光催化活性的第一性原理研究第49-71页
    3.1 研究背景第49-50页
    3.2 计算部分第50-51页
        3.2.1 计算方法第50-51页
        3.2.2 建立模型第51页
    3.3 结果与讨论第51-66页
        3.3.1 纯相α-Bi_2O_3的空间结构和电子结构第51-53页
        3.3.2 金属单掺杂的α-Bi_2O_3第53-61页
            3.3.2.1 金属单掺杂体系的空间结构第53-54页
            3.3.2.2 金属单掺杂体系的缺陷形成能第54-55页
            3.3.2.3 金属单掺杂体系的电荷密度分布第55-56页
            3.3.2.4 金属单掺杂体系的电子结构第56-60页
            3.3.2.5 金属单掺杂体系的吸收光谱第60-61页
        3.3.3 金属与非金属共掺杂的α-Bi_2O_3第61-65页
            3.3.3.1 共掺杂体系的空间结构第61-63页
            3.3.3.2 共掺杂体系的缺陷形成能第63页
            3.3.3.3 共掺杂体系的电子结构第63-65页
        3.3.4 有效质量第65-66页
    3.4 本章小结第66-68页
    参考文献第68-71页
第四章 过渡金属氧化物的第一性原理研究第71-86页
    4.1 前言第71-73页
    4.2 计算部分第73页
        4.2.1 计算方法第73页
        4.2.2 建立模型第73页
    4.3 结果与讨论第73-82页
        4.3.1 纯相CuO晶体第74-77页
            4.3.1.1 CuO磁胞第74-75页
            4.3.1.2 块状CuO晶体第75-77页
        4.3.2 Ni掺杂的CuO晶体第77-78页
        4.3.3 纯相NO晶体第78-80页
        4.3.4 Cu掺杂的NiO晶体第80-82页
    4.4 本章小结第82-83页
    参考文献第83-86页
第五章 氧缺陷修饰的Cu电极(111)面还原CO_2的第一性原理研究第86-101页
    5.1 前言第86-88页
    5.2 计算部分第88-90页
        5.2.1 计算方法第88-89页
        5.2.2 建立模型第89-90页
    5.3 结果与讨论第90-98页
        5.3.1 单胞Cu结构和Cu (111)表面第90页
        5.3.2 CO、H在Cu (111)表面的吸附结构第90-92页
            5.3.2.1 CO在Cu (111)面的吸附第91-92页
            5.3.2.2 H在Cu (111)面的吸附第92页
        5.3.3 CO、H共吸附以及CHO吸附在Cu(111)表面第92-93页
            5.3.3.1 CO、H共吸附结构第92-93页
            5.3.3.2 CHO吸附结构第93页
        5.3.4 过渡态寻找第93-94页
        5.3.5 CO、H在O缺陷修饰的Cu(111)表面的吸附结构第94-97页
            5.3.5.1 O缺陷修饰的Cu(111)表面第94-96页
            5.3.5.2 CO吸附在氧缺陷修饰的Cu(111)面第96页
            5.3.5.3 H吸附在O缺陷修饰的Cu(111)表面第96-97页
        5.3.6 CO、H共吸附以及CHO吸附在氧缺陷修饰的Cu(111)表面第97页
            5.3.6.1 CO、H共吸附在氧缺陷修饰的Cu(111)表面第97页
            5.3.6.2 CHO吸附在氧缺陷修饰的Cu(111)表面第97页
        5.3.7 氧缺陷面过渡态计算第97-98页
    5.4 本章小结第98-99页
    参考文献第99-101页
第六章 结论与展望第101-105页
    6.1 工作总结第101-103页
    6.2 展望第103-105页
攻读博士学位期间发表的论文第105-106页
致谢第106-107页

论文共107页,点击 下载论文
上一篇:ALICE实验上能量为7TeV质子—质子碰撞中K_s~0和∧在喷注及UE背景中的产额测量
下一篇:色玻璃凝聚及高能碰撞中双胶子的快度关联