半导体三极管综合测试系统的硬件研究与实现
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.1.1 半导体三极管的发展状况 | 第9页 |
| 1.1.2 半导体三极管测试产业发展概况 | 第9-10页 |
| 1.1.3 半导体三极管生产厂家发展状况 | 第10页 |
| 1.2 课题研究意义 | 第10-11页 |
| 1.3 课题来源及研究内容 | 第11页 |
| 1.3.1 课题来源 | 第11页 |
| 1.3.2 论文研究内容 | 第11页 |
| 1.4 本章小结 | 第11-12页 |
| 第二章 半导体三极管直流参数测量方法的研究 | 第12-26页 |
| 2.1 半导体三极管直流放大倍数 | 第12-17页 |
| 2.1.1 放大倍数的测量原理与条件 | 第12页 |
| 2.1.2 影响测试放大倍数的因素 | 第12-14页 |
| 2.1.3 放大倍数的测试方法 | 第14-17页 |
| 2.2 半导体三极管漏电流 | 第17-21页 |
| 2.2.1 漏电流的测试原理与条件 | 第17-18页 |
| 2.2.2 漏电流的测试方法 | 第18-21页 |
| 2.3 半导体三极管饱和参数 | 第21-22页 |
| 2.3.1 饱和参数测试原理与条件 | 第21页 |
| 2.3.2 饱和参数测试方法 | 第21-22页 |
| 2.4 半导体三极管反向耐压 | 第22-25页 |
| 2.4.1 反向耐压测试原理与条件 | 第22-23页 |
| 2.4.2 反向耐压测试方法 | 第23-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 测试系统的硬件设计方案 | 第26-50页 |
| 3.1 系统的整体设计方案 | 第26-27页 |
| 3.2 CPU部分 | 第27-32页 |
| 3.2.2 电源设计 | 第27-28页 |
| 3.2.3 复位设计 | 第28页 |
| 3.2.4 时钟设计 | 第28-29页 |
| 3.2.5 I/O接口 | 第29-30页 |
| 3.2.6 调试接口 | 第30-31页 |
| 3.2.7 CPU及相关外围电路原理图 | 第31-32页 |
| 3.3 高精度AD/DA电路 | 第32-34页 |
| 3.3.1 模数转换电路设计 | 第32-33页 |
| 3.3.2 数模转换电路的设计 | 第33-34页 |
| 3.4 基极电流I_B部分 | 第34-37页 |
| 3.4.1 基极程控电流源 | 第34-35页 |
| 3.4.2 独立AD/DA | 第35页 |
| 3.4.3 光耦隔离 | 第35-37页 |
| 3.5 集电极电流I_C部分 | 第37-39页 |
| 3.6 漏电流检测部分 | 第39-40页 |
| 3.7 饱和压降测试部分 | 第40-41页 |
| 3.8 反向耐压高压部分 | 第41-42页 |
| 3.9 继电器切换矩阵 | 第42-44页 |
| 3.10 系统电源 | 第44-48页 |
| 3.10.1 常用电平及恒压源电路 | 第44-45页 |
| 3.10.2 基极隔离电源电路 | 第45-46页 |
| 3.10.3 电源反馈控制电路 | 第46-47页 |
| 3.10.4 钳位保护电路 | 第47-48页 |
| 3.11 TTL串口通信 | 第48-49页 |
| 3.12 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 系统的调试及实验验证 | 第50-64页 |
| 4.1 上位机软件连接调试 | 第50页 |
| 4.2 各项参数的校准 | 第50-51页 |
| 4.3 程控电压源及电流源验证实验 | 第51-54页 |
| 4.3.1 测试仪器精度的表达方式 | 第51-52页 |
| 4.3.2 程控电压源验证实验 | 第52-53页 |
| 4.3.3 基极电流验证实验 | 第53页 |
| 4.3.4 集电极电流验证实验 | 第53-54页 |
| 4.4 放大倍数测量实验 | 第54-56页 |
| 4.5 漏电流测量实验 | 第56-58页 |
| 4.6 饱和压降测试实验 | 第58-60页 |
| 4.7 反向耐压测试实验 | 第60-62页 |
| 4.8 实际器件参数指标的测试实验 | 第62-63页 |
| 4.9 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第68页 |
