| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 半导体纳米材料 | 第9-14页 |
| 1.2.1 半导体材料及能带理论 | 第9-11页 |
| 1.2.2 半导体纳米材料的特性 | 第11-13页 |
| 1.2.3 半导体纳米材料的应用 | 第13-14页 |
| 1.3 TiO_2纳米材料概述 | 第14-16页 |
| 1.3.1 不同形貌TiO_2纳米材料的制备 | 第14页 |
| 1.3.2 TiO_2纳米材料的应用领域 | 第14-15页 |
| 1.3.3 TiO_2纳米材料的改性研究 | 第15-16页 |
| 1.4 Bi_2S_3纳米材料概述 | 第16-18页 |
| 1.4.1 Bi_2S_3纳米材料的制备 | 第17-18页 |
| 1.4.2 Bi_2S_3纳米材料的应用领域 | 第18页 |
| 1.5 Bi_2S_3/TiO_2纳米复合材料概述 | 第18页 |
| 1.6 半导体光催化反应 | 第18-22页 |
| 1.6.1 光催化降解技术概述 | 第20-21页 |
| 1.6.2 光催化制氢概述 | 第21-22页 |
| 1.7 本课题研究内容及意义 | 第22-24页 |
| 第二章 实验方法 | 第24-38页 |
| 2.1 AAO电极的制备 | 第24-27页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第24页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第24-25页 |
| 2.1.3 制备工艺流程 | 第25-27页 |
| 2.2 Bi_2S_3纳米线及其纳米管的制备 | 第27-29页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第27页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第27-28页 |
| 2.2.3 实验装置图 | 第28页 |
| 2.2.4 Bi_2S_3纳米线、纳米管的制备 | 第28-29页 |
| 2.3 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米线的制备 | 第29-30页 |
| 2.3.1 实验试剂 | 第29页 |
| 2.3.2 实验仪器 | 第29页 |
| 2.3.3 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米电缆的制备 | 第29-30页 |
| 2.4 材料表征与性能测试 | 第30-38页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜分析（SEM） | 第30页 |
| 2.4.2 透射电子显微镜分析（TEM） | 第30页 |
| 2.4.3 X射线衍射分析（XRD） | 第30-31页 |
| 2.4.4 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第31页 |
| 2.4.5 紫外-可见吸收光谱分析（UV-vis） | 第31页 |
| 2.4.6 Mott-Schottky测试 | 第31-32页 |
| 2.4.7 光电响应性能测试 | 第32页 |
| 2.4.8 电化学交流阻抗测试 | 第32-33页 |
| 2.4.9 光催化降解性能测试 | 第33-35页 |
| 2.4.10 光催化制氢活性测试 | 第35-38页 |
| 第三章 Bi_2S_3纳米线、纳米管的制备及其性能研究 | 第38-59页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 AAO模板SEM表征 | 第39页 |
| 3.3 Bi_2S_3一维纳米材料的制备 | 第39-46页 |
| 3.3.1 Bi_2S_3一维纳米材料沉积电位的确定 | 第39-42页 |
| 3.3.2 Bi_2S_3纳米材料的沉积原理 | 第42-43页 |
| 3.3.3 Bi_2S_3制备工艺的正交试验设计与结果分析 | 第43-46页 |
| 3.4 Bi_2S_3纳米材料的表征 | 第46-53页 |
| 3.4.1 Bi_2S_3纳米材料的SEM表征 | 第46-48页 |
| 3.4.2 Bi_2S_3纳米材料的TEM表征 | 第48页 |
| 3.4.3 Bi_2S_3纳米材料的EDS表征 | 第48-50页 |
| 3.4.4 Bi_2S_3纳米材料的XRD表征 | 第50页 |
| 3.4.5 Bi_2S_3纳米材料的XPS表征 | 第50-51页 |
| 3.4.6 Bi_2S_3纳米材料的紫外可见吸收光谱测试 | 第51-52页 |
| 3.4.7 Mott-Schottky测试 | 第52-53页 |
| 3.5 Bi_2S_3纳米材料的性能测试 | 第53-57页 |
| 3.5.1 光照开路电位测试 | 第53-55页 |
| 3.5.2 光催化降解性能测试 | 第55-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米电缆的制备及其性能研究 | 第59-76页 |
| 4.1. 引言 | 第59-60页 |
| 4.2 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米电缆的表征 | 第60-67页 |
| 4.2.1 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米电缆的SEM表征 | 第60-61页 |
| 4.2.2 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米电缆的TEM表征 | 第61页 |
| 4.2.3 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米电缆的EDS表征 | 第61-63页 |
| 4.2.4 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米电缆的XRD表征 | 第63页 |
| 4.2.5 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米电缆的紫外-可见吸收光谱测试 | 第63-64页 |
| 4.2.6 Mott-Schottky测试 | 第64-67页 |
| 4.3 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米电缆的性能测试 | 第67-74页 |
| 4.3.1 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米电缆的光照开路电位测试 | 第67-68页 |
| 4.3.2 Bi_2S_3/TiO_2同轴纳米电缆的交流阻抗测试 | 第68-70页 |
| 4.3.3 光催化降解性能测试 | 第70-73页 |
| 4.3.4 氙灯下光催化分解水制氢活性研究 | 第73-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-87页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
