| 中文摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 符号说明 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 2μm波段激光简介 | 第15-18页 |
| 1.1.1 Tm~(3+)掺杂及Tm~(3+)/Ho~(3+)共掺激光系统 | 第15-17页 |
| 1.1.2 LD泵浦Tm~(3+)掺杂和Tm~(3+)/Ho~(3+)共掺激光研究进展 | 第17-18页 |
| 1.2 脉冲激光技术 | 第18-19页 |
| 1.2.1 调Q脉冲激光技术 | 第18-19页 |
| 1.2.2 锁模脉冲激光技术 | 第19页 |
| 1.3 本文的主要研究工作 | 第19-21页 |
| 第二章 2μm波段新型二维材料调Q脉冲激光特性研究 | 第21-34页 |
| 2.1 2μm波段Graphene调Q脉冲激光特性研究 | 第21-24页 |
| 2.1.1 Graphene制备及表征 | 第21-22页 |
| 2.1.2 LD泵浦Tm:LuAG晶体2μm波段Graphene被动调Q脉冲激光特性研究 | 第22-24页 |
| 2.2 2μm波段WS_2调Q脉冲激光特性研究 | 第24-29页 |
| 2.2.1 WS_2制备及表征 | 第24-27页 |
| 2.2.2 LD泵浦Tm:LuAG晶体2μm波段WS_2被动调Q脉冲激光特性研究 | 第27-29页 |
| 2.3 2μm波段MoS_2调Q脉冲激光特性研究 | 第29-33页 |
| 2.3.1 MoS_2的制备及表征 | 第29-31页 |
| 2.3.2 LD泵浦Tm,Ho:YAP晶体2μm波段MoS_2被动调Q脉冲激光特性研究 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 基于双损耗机制的2μm波段调Q脉冲激光特性研究 | 第34-50页 |
| 3.1 基于AOM/Graphene双损耗机制的2μm波段调Q脉冲激光特性研究 | 第34-38页 |
| 3.1.1 LD泵浦Tm:LuAG晶体2μm波段AOM/Graphene双损耗调Q激光实验装置 | 第34-35页 |
| 3.1.2 LD泵浦Tm:LuAG晶体2μm波段AOM/Graphene双损耗调Q激光特性研究 | 第35-38页 |
| 3.2 基于EOM/GaAs双损耗调制的2μm波段调Q脉冲激光特性研究 | 第38-43页 |
| 3.2.1 LD泵浦Tm:LuAG晶体2μm波段EOM/GaAs双损耗调Q激光实验装置 | 第39-40页 |
| 3.2.2 LD泵浦Tm:LuAG晶体2μm波段EOM/GaAs双损耗调Q脉冲激光特性研究 | 第40-43页 |
| 3.3 基于Graphene/MWCNT双损耗调制的2μm波段调Q脉冲激光特性研 | 第43-48页 |
| 3.3.1 LD泵浦Tm:LuAG晶体2μm波段Graphene/MWCNT双损耗调Q激光实验装置 | 第44页 |
| 3.3.2 LD泵浦Tm:LuAG晶体2μm波段Graphene/MWCNT双损耗调Q脉冲激光特性研究 | 第44-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 基于GaSb-SESAM锁模的2μm波段超短脉冲激光特性研究 | 第50-57页 |
| 4.1 LD泵浦Tm:LuAG晶体2μm波段GaSb-SESAM锁模激光实验装置 | 第50-52页 |
| 4.2 LD泵浦Tm:LuAG晶体2μm波段GaSb-SESAM锁模激光特性研究 | 第52-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结 | 第57-59页 |
| 5.1 研究内容和主要结论 | 第57-58页 |
| 5.2 不足之处及有待深入研究的问题 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读学位期间参加的项目、获得的奖励及发表的论文 | 第67-69页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第69页 |
