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4H-SiC紫外单光子雪崩光电探测器的制备与表征

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-31页
    1.1 引言第10-15页
    1.2 SiC的材料特性第15-18页
    1.3 雪崩光电探测器的工作原理第18-19页
    1.4 雪崩光电探测器的主要性能参数第19-22页
    1.5 4H-SiC紫外雪崩光电探测器的研究现状第22-24页
    1.6 本论文的主要研究内容第24-26页
    参考文献第26-31页
第二章 基于部分槽隔离结构的4H-SiC紫外单光子雪崩光电探测器第31-53页
    2.1 研究背景第31-32页
    2.2 器件的数值模拟第32-35页
    2.3 器件的版图设计第35-36页
    2.4 器件的制备工艺第36-39页
    2.5 器件的测试表征第39-45页
    2.6 多种不同尺寸器件的制备及性能第45-49页
    2.7 本章小结第49-51页
    参考文献第51-53页
第三章 4H-SiC紫外单光子雪崩光电探测器线性阵列第53-68页
    3.1 研究背景第53-54页
    3.2 实验设计及版图绘制第54-56页
    3.3 线性阵列器件的制备第56-58页
    3.4 性能测试及分析第58-64页
    3.5 本章小结第64-66页
    参考文献第66-68页
第四章 结论与展望第68-72页
    4.1 主要结论第68-69页
    4.2 研究展望第69-72页
发表论文目录第72-73页
致谢第73-74页

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