| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-31页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 碳基一维纳米导电材料 | 第15-23页 |
| 1.2.1 导电聚乙炔的研究现状 | 第17-20页 |
| 1.2.2 茂金属导电聚合物的研究现状 | 第20-23页 |
| 1.3 硅烷基一维导电高分子材料的研究现状 | 第23-26页 |
| 1.4 C/Si共聚导电高分子材料的研究现状 | 第26-28页 |
| 1.5 本文课题来源、研究内容及方法 | 第28-31页 |
| 1.5.1 课题来源 | 第28-29页 |
| 1.5.2 研究目的及意义 | 第29-30页 |
| 1.5.3 研究内容 | 第30-31页 |
| 第2章 理论研究基础 | 第31-47页 |
| 2.1 概述 | 第31页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第31-38页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi-Dirac模型 | 第32-34页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第34-36页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第36-38页 |
| 2.3 能带理论 | 第38-43页 |
| 2.3.1 布洛赫定理 | 第39-40页 |
| 2.3.2 布里渊区和能带 | 第40-43页 |
| 2.4 非平衡格林函数理论 | 第43-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第3章 计算方法与模型设计 | 第47-57页 |
| 3.1 [(SiH_2)_x(CH=CH)_y]_n （n = 2-4, x = 2-4, y = 1-4）体系计算方法与模型 | 第47-52页 |
| 3.1.1 计算方法 | 第47-49页 |
| 3.1.2 理论模型 | 第49-52页 |
| 3.2 [V(Cp)_2(SiH_2)_n]_∞体系的计算方法与模型 | 第52-56页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第52-54页 |
| 3.2.2 计算模型 | 第54-56页 |
| 3.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 [(SiH_2)_x(CH=CH)_y]_n的电子结构和输运性质 | 第57-73页 |
| 4.1 引言 | 第57-58页 |
| 4.2 体系的电子结构讨论 | 第58-62页 |
| 4.3 体系传输性质的结果与讨论 | 第62-71页 |
| 4.3.1 有机硅烷基片段长度的影响 | 第62-65页 |
| 4.3.2 乙烯基链长度的影响 | 第65-69页 |
| 4.3.3 整个分子链长度的影响 | 第69-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第5章 [V(Cp)_2(SiH_2)_n]_m的电子结构和输运性质 | 第73-102页 |
| 5.1 引言 | 第73-74页 |
| 5.2 几何结构与电子结构 | 第74-84页 |
| 5.2.1 几何结构及稳定性 | 第74-76页 |
| 5.2.2 磁性 | 第76-79页 |
| 5.2.3 能带结构分析 | 第79-84页 |
| 5.3 双探针体系的输运性质 | 第84-101页 |
| 5.3.1 I-V曲线 | 第84-89页 |
| 5.3.2 D-[V(Cp)_2(SiH_2)_1]_m、D-[V(Cp)_2(SiH_2)_2]_m和D-[V(Cp)_2(SiH_2)_3]_m的ES、MPSH、TS、EP结果分析 | 第89-100页 |
| 5.3.3 与[(SiH_2)_x(CH=CH)_y]_n输运性质的比较 | 第100-101页 |
| 5.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 结论 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-116页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117页 |
