| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-37页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 太阳能电池基础知识 | 第15-19页 |
| 1.2.1 太阳能电池工作原理 | 第15-16页 |
| 1.2.2 太阳能电池能带解释 | 第16-17页 |
| 1.2.3 太阳能电池等效电路与各项参数 | 第17-19页 |
| 1.3 太阳能电池的分类及其发展概况 | 第19-35页 |
| 1.3.1 无机太阳能电池 | 第19-22页 |
| 1.3.2 有机太阳能电池 | 第22-24页 |
| 1.3.3 有机无机太阳能电池 | 第24-35页 |
| 1.4 选题依据与研究内容 | 第35-37页 |
| 第二章 氮化硅与三氧化二铝薄膜的制备及其钝化性能研究 | 第37-52页 |
| 2.1 引言 | 第37-38页 |
| 2.2 氮化硅薄膜的制备及钝化性能研究 | 第38-45页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第38-39页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第39页 |
| 2.2.3 实验步骤 | 第39-40页 |
| 2.2.3.1 硅片清洗 | 第39-40页 |
| 2.2.3.2 PECVD沉积氮化硅薄膜 | 第40页 |
| 2.2.4 结果讨论 | 第40-45页 |
| 2.2.4.1 硅烷通入量对氮化硅钝化性能的影响 | 第40-43页 |
| 2.2.4.2 衬底温度对氮化硅钝化性能的影响 | 第43页 |
| 2.2.4.3 沉积功率对氮化硅钝化性能的影响 | 第43-44页 |
| 2.2.4.4 薄膜厚度对氮化硅钝化性能的影响 | 第44-45页 |
| 2.2.5 利用PECVD沉积氮化硅钝化膜小结 | 第45页 |
| 2.3 三氧化二铝薄膜的制备及钝化性能研究 | 第45-51页 |
| 2.3.1 实验试剂 | 第45-46页 |
| 2.3.2 实验仪器 | 第46页 |
| 2.3.3 实验步骤 | 第46-47页 |
| 2.3.3.1 硅片清洗 | 第46页 |
| 2.3.3.2 ALD沉积三氧化二铝薄膜 | 第46-47页 |
| 2.3.4 结果讨论 | 第47-51页 |
| 2.3.4.1 薄膜厚度对三氧化二铝钝化性能的影响 | 第47-49页 |
| 2.3.4.2 退火温度对三氧化二铝钝化性能的影响 | 第49-50页 |
| 2.3.4.3 退火时间对三氧化二铝钝化性能的影响 | 第50-51页 |
| 2.3.5 利用ALD沉积三氧化二铝钝化膜小结 | 第51页 |
| 2.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第三章 背面局部钝化SI-PEDOT:PSS杂化电池的制备及性能研究 | 第52-72页 |
| 3.1 引言 | 第52-53页 |
| 3.2 实验部分 | 第53-56页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第53-54页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第54页 |
| 3.2.3 实验步骤 | 第54-56页 |
| 3.2.3.1 硅片清洗及钝化膜沉积步骤 | 第54-55页 |
| 3.2.3.2 光刻步骤 | 第55-56页 |
| 3.2.3.3 钝化膜腐蚀步骤 | 第56页 |
| 3.2.3.4 基于背面局部钝化的Si-PEDOT:PSS杂化电池制备步骤 | 第56页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第56-71页 |
| 3.3.1 腐蚀后局部钝化膜形貌分析 | 第56-57页 |
| 3.3.2 腐蚀后局部钝化膜适用性分析 | 第57-59页 |
| 3.3.3 正面PEDOT:PSS,背面氮化硅组合钝化水平分析 | 第59-60页 |
| 3.3.4 氮化硅成键方式分析 | 第60-62页 |
| 3.3.5 背面局部钝化层对Si-PEDOT:PSS杂化电池的影响 | 第62-71页 |
| 3.3.5.1 器件结构 | 第62-63页 |
| 3.3.5.2 背面局部钝化层Si-PEDOT:PSS杂化电池J-V曲线分析 | 第63-65页 |
| 3.3.5.3 背面局部钝化层Si-PEDOT:PSS杂化电池EQE分析 | 第65页 |
| 3.3.5.4 背面局部钝化层Si-PEDOT:PSS杂化电池暗态J-V曲线分析 | 第65-66页 |
| 3.3.5.5 开孔面积对电池接触性能影响分析 | 第66-69页 |
| 3.3.5.6 不同占有面积局部钝化层对Si-PEDOT:PSS杂化电池的影响 | 第69-71页 |
| 3.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第四章 重构纳米锥陷光衬底SI-PEDOT:PSS杂化电池的制备及其性能研究 | 第72-88页 |
| 4.1 引言 | 第72-73页 |
| 4.2 实验部分 | 第73-75页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第73页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第73-74页 |
| 4.2.3 实验步骤 | 第74-75页 |
| 4.2.3.1 硅片清洗步骤 | 第74页 |
| 4.2.3.2 高效纳米锥陷光结构制备步骤 | 第74页 |
| 4.2.3.3 重构纳米锥陷光衬底Si-PEDOT:PSS杂化电池制备步骤 | 第74-75页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第75-86页 |
| 4.3.1 “一步溶液腐蚀法”原理讨论 | 第75-76页 |
| 4.3.2 纳米锥陷光结构形貌与光学性能分析 | 第76-78页 |
| 4.3.3 重构纳米锥陷光结构形貌与光学性能分析 | 第78-80页 |
| 4.3.4 重构纳米锥结构优势讨论 | 第80-82页 |
| 4.3.5 重构纳米锥衬底与PEDOT:PSS薄膜接触及光学性能分析 | 第82-84页 |
| 4.3.6 重构纳米锥衬底对Si-PEDOT:PSS杂化电池性能的影响 | 第84-86页 |
| 4.3.6.1 重构纳米锥衬底Si-PEDOT:PSS杂化电池J-V曲线分析 | 第84-86页 |
| 4.3.6.2 重构纳米锥衬底Si-PEDOT:PSS杂化电池EQE分析 | 第86页 |
| 4.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 第五章 氧化钼减反增透SI-PEDOT:PSS杂化电池制备及其性能研究 | 第88-101页 |
| 5.1 引言 | 第88-89页 |
| 5.2 实验部分 | 第89-90页 |
| 5.2.1 实验试剂 | 第89页 |
| 5.2.2 实验仪器 | 第89页 |
| 5.2.3 实验步骤 | 第89-90页 |
| 5.2.3.1 理论模拟步骤 | 第89-90页 |
| 5.2.3.2 MoO_3减反增透Si-PEDOT:PSS杂化电池制备步骤 | 第90页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第90-100页 |
| 5.3.1 减反增透膜机理讨论 | 第90-92页 |
| 5.3.2 减反增透膜材料筛选 | 第92-93页 |
| 5.3.3 通过模拟计算PEDOT:PSS膜的最佳厚度 | 第93-94页 |
| 5.3.4 通过模拟计算MoO_3减反增透膜的最佳厚度 | 第94-96页 |
| 5.3.5 理论模拟模型准确性验证 | 第96-97页 |
| 5.3.6 MoO_3减反增透膜对Si-PEDOT:PSS杂化电池性能的影响 | 第97-100页 |
| 5.3.6.1 MoO_3减反增透Si-PEDOT:PSS杂化电池J-V曲线分析 | 第97-98页 |
| 5.3.6.2 MoO_3减反增透Si-PEDOT:PSS杂化电池EQE分析 | 第98-99页 |
| 5.3.6.3 MoO_3减反增透Si-PEDOT:PSS杂化电池暗态J-V曲线分析 | 第99-100页 |
| 5.4 本章小结 | 第100-101页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第101-104页 |
| 6.1 全文总结 | 第101-102页 |
| 6.2 全文主要创新点 | 第102页 |
| 6.3 后续工作与展望 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-123页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第123页 |
