摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
目录 | 第8-10页 |
1 绪论 | 第10-21页 |
·概述 | 第10-11页 |
·RRAM器件的基本工作原理 | 第11-17页 |
·RRAM的阻变行为 | 第12-14页 |
·RRAM的阻变机理 | 第14-16页 |
·RRAM器件参数 | 第16-17页 |
·RRAM器件的研究现状 | 第17-20页 |
·RRAM的串扰问题 | 第17-18页 |
·RRAM的非线性阻变行为 | 第18-20页 |
·本论文的立意及研究内容 | 第20-21页 |
2 实验方法与测试 | 第21-28页 |
·Sol-gel法制备薄膜原理 | 第21-22页 |
·RRAM样品的制备工艺流程 | 第22-24页 |
·制膜过程中所用的实验试剂与仪器 | 第24-25页 |
·实验试剂 | 第24-25页 |
·实验仪器 | 第25页 |
·测试手段 | 第25-28页 |
·热重-差热分析 | 第25-26页 |
·X-射线衍射分析 | 第26页 |
·原子力显微镜分析 | 第26页 |
·场发射扫描电子显微镜分析 | 第26-27页 |
·X光电子能谱分析 | 第27页 |
·电学性能测试 | 第27-28页 |
3 Co掺杂BaTiO_3薄膜的制备与阻变行为研究 | 第28-41页 |
·Co掺杂BaTiO_3薄膜的制备 | 第28-30页 |
·前驱体的合成 | 第28-29页 |
·BaTi_(0.95)Co_(0.05)O_3薄膜的结构性能表征 | 第29-30页 |
·Au/BaTi_(1-x)Co_xO_3/Pt器件阻变行为研究 | 第30-39页 |
·Au/BaTiO_3/Pt的阻变行为分析 | 第30-31页 |
·非晶BaTiO_3薄膜的阻变行为 | 第31-32页 |
·Co掺杂浓度对BaTiO_3薄膜阻变行为的影响 | 第32-34页 |
·Au/Co:BaTiO_3/Pt的阻变机制 | 第34-37页 |
·偏压对薄膜阻变行为的影响 | 第37页 |
·限制电流对薄膜阻变行为的影响 | 第37-38页 |
·上电极面积大小对薄膜阻变行为的影响 | 第38-39页 |
·本章小结 | 第39-41页 |
4 互补型阻变行为(CRS)研究 | 第41-53页 |
·BaTiO_3/Co:BaTiO_3/BaTiO_3多层膜的阻变行为研究 | 第41-47页 |
·Au/BaTiO_3/Co:BaTiO_3/BaTiO_3/Pt的BRS阻变行为 | 第41-44页 |
·Au/BaTiO_3/Co:BaTiO_3/BaTiO_3/Pt的CRS特性 | 第44-46页 |
·膜厚对BaTiO_3/Co:BaTiO_3/BaTiO_3/阻变行为的影响 | 第46-47页 |
·BaTiO_3/NiO双层膜的阻变行为研究 | 第47-52页 |
·NiO单层膜的URS行为 | 第47-48页 |
·BaTiO_3/NiO双层膜的URS和CRS行为 | 第48-51页 |
·BaTiO_3/NiO双层膜的阻变机理 | 第51-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
5 双极型非线性阻变行为的研究 | 第53-60页 |
·Al/Co:BaTiO_3/Pt的阻变行为研究 | 第53-55页 |
·Al/Co:BaTiO_3/BaTiO_3/Pt的阻变行为 | 第55-59页 |
·Al/Co:BaTiO_3/BaTiO_3/Pt的双极型非线性阻变行为 | 第55-57页 |
·Al/BaTiO_3/Co:BaTiO_3/Pt的阻变机理 | 第57-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
结论 | 第60-61页 |
致谢 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-67页 |
在读期间已发表和待发表的论文 | 第67页 |