| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·纳米结构及其电子效应 | 第9-13页 |
| ·纳米结构及其分类 | 第9-10页 |
| ·纳电子输运及其量子效应 | 第10-12页 |
| ·纳电子学及其应用 | 第12-13页 |
| ·硼硅纳米结构器件 | 第13-16页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·硼元素及其纳米结构 | 第13-15页 |
| ·碳、硅纳米材料 | 第15-16页 |
| ·本文研究内容概述 | 第16-18页 |
| 第二章 理论研究基础及计算方法 | 第18-29页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-23页 |
| ·绝热近似 | 第18-19页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第19-20页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第20-21页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第21-23页 |
| ·纳米结构电子输运性质的计算方法 | 第23-29页 |
| ·Landauer理论 | 第23-24页 |
| ·非平衡格林函数理论 | 第24-26页 |
| ·纳米结构电子输运性质的计算方法 | 第26-29页 |
| 第三章 硼硅片层中的多重负微分电阻效应及其调控 | 第29-38页 |
| ·引言 | 第29-31页 |
| ·硼硅片层的结构特征 | 第31-32页 |
| ·硼硅片层的多重负微分电阻效应 | 第32-37页 |
| ·零偏压下的多浓度硼硅片层的电子输运性质 | 第32-34页 |
| ·有限偏压下不同结构方向硼硅片层的负微分电阻效应 | 第34-36页 |
| ·多重负微分电阻效应的产生及调控机理 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 掺杂过渡金属的BSi气敏传感器 | 第38-49页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·掺杂Ti元素的BSi气敏传感器 | 第39-44页 |
| ·掺杂Ti的BSi吸附气体的结构 | 第39-41页 |
| ·掺杂Ti的BSi对不同气体分子的敏感性分析 | 第41-44页 |
| ·BSi对H_2的吸附选择性 | 第44页 |
| ·掺杂Cu元素的BSi气敏传感器 | 第44-48页 |
| ·掺杂Cu的BSi吸附气体的结构 | 第45-46页 |
| ·掺杂Cu的BSi对不同气体分子的敏感性分析 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第五章 掺杂碱金属的B_(35)气体探测机理研究 | 第49-56页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·掺杂Li元素的B_(35)气体探测机理研究 | 第50-53页 |
| ·掺杂Li的B_(35)吸附气体的结构 | 第50-51页 |
| ·掺杂Li的B_(35)对不同气体分子的敏感性分析 | 第51-53页 |
| ·B_(35)储氢能力探究及讨论 | 第53-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-59页 |
| ·总结 | 第57页 |
| ·展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第63-64页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |