| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-37页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·应变、应变补偿量子阱及能带理论 | 第13-18页 |
| ·半导体激光器的基本原理和理论参数 | 第18-21页 |
| ·粒子数反转和光增益 | 第19页 |
| ·阈值条件和增益分布 | 第19-20页 |
| ·激光谐振腔 | 第20-21页 |
| ·半导体激光器光电特性及主要参数 | 第21-27页 |
| ·半导体激光器的量子效率 | 第21-26页 |
| ·量子阱激光器的阈值电流密度，特征温度的分析 | 第26-27页 |
| ·量子阱激光器In GaAs阱层/GaAsP垒层的界面结构 | 第27-30页 |
| ·温度对生长In GaAs/GaAsP界面结构的影响 | 第28-29页 |
| ·势垒高度对In GaAs/GaAsP界面结构及载流子输运的影响 | 第29-30页 |
| ·不同偏角的GaAs衬底对InGaAs/Ga AsP界面结构的影响 | 第30页 |
| ·选题意义和研究内容 | 第30-32页 |
| ·选题意义 | 第30-31页 |
| ·研究内容 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-37页 |
| 第二章 半导体材料的制备与表征 | 第37-53页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·外延材料的制备 | 第37-40页 |
| ·半导体材料的表征手段 | 第40-50页 |
| ·高分辨X射线衍射仪 | 第40-43页 |
| ·半导体光致发光 | 第43-47页 |
| ·原子力显微镜 | 第47-48页 |
| ·拉曼光谱 | 第48-49页 |
| ·其它表征手段 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第三章 温度对应变补偿量子阱中阱/垒界面结构的影响 | 第53-69页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·In GaAs/GaAsP多量子阱的制备与表征 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-64页 |
| ·HRXRD与表面反射率分析 | 第55-58页 |
| ·AFM表面形貌分析 | 第58-59页 |
| ·SIMS界面分析 | 第59-61页 |
| ·PL光谱分析 | 第61-63页 |
| ·I–V曲线电学特性分析 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 第四章 势垒高度对In GaAs/GaAsP多量子阱载流子的传输的影响及光电性质 | 第69-95页 |
| ·引言 | 第69-71页 |
| ·量子阱材料的生长、器件制备与性能测试 | 第71-73页 |
| ·量子阱材料的生长 | 第71-72页 |
| ·器件制备 | 第72页 |
| ·性能测试 | 第72-73页 |
| ·结果与讨论 | 第73-87页 |
| ·HRXRD分析 | 第73-75页 |
| ·表面反射率分析 | 第75-76页 |
| ·AFM表面形貌分析 | 第76-78页 |
| ·PL光谱分析 | 第78-81页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第81-83页 |
| ·理论仿真分析 | 第83-85页 |
| ·激光器件分析 | 第85-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-95页 |
| 第五章 衬底偏角对In GaAs/GaAsP多量子阱的光致发光以及结构性质的影响 | 第95-123页 |
| ·引言 | 第95-96页 |
| ·量子阱材料的制备与表征 | 第96-97页 |
| ·量子阱材料的制备 | 第96-97页 |
| ·性能测试 | 第97页 |
| ·结果与讨论 | 第97-115页 |
| ·HRXRD与表面反射率分析 | 第97-100页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第100-102页 |
| ·AFM表面形貌分析 | 第102-107页 |
| ·变温PL光谱分析 | 第107-115页 |
| ·本章结论 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-123页 |
| 第六章 结论与展望 | 第123-127页 |
| ·结论 | 第123-124页 |
| ·展望 | 第124-127页 |
| 博士学位论文独创性说明 | 第127-129页 |
| 攻读博士期间取得的科研成果 | 第129-131页 |
| 发表的论文 | 第129-130页 |
| 申请专利 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
