等离子体CVD法制备氮化碳涂层的理论与实验研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-11页 |
注释表 | 第11-12页 |
第一章 绪论 | 第12-22页 |
·引言 | 第12页 |
·氮化碳的结构与性质 | 第12-15页 |
·氮化碳的结构 | 第12-14页 |
·氮化碳的性质 | 第14-15页 |
·氮化碳的制备方法 | 第15-18页 |
·氮化碳的制备方法 | 第15-18页 |
·等离子体CVD法制备氮化碳涂层的国内外研究进展 | 第18-21页 |
·等离子体简介 | 第18页 |
·等离子体CVD法制备氮化碳涂层进展 | 第18-20页 |
·存在的问题 | 第20-21页 |
·本文的研究内容及技术路线 | 第21-22页 |
第二章 N_2、N与基底原子吸附的第一性原理计算 | 第22-34页 |
·引言 | 第22页 |
·第一性原理计算基本介绍 | 第22-24页 |
·计算过程 | 第24-25页 |
·在金刚石表面的吸附计算 | 第25-29页 |
·吸附能计算 | 第25-26页 |
·态密度分析 | 第26-29页 |
·在硬质合金表面的吸附计算 | 第29-33页 |
·吸附能计算 | 第29-31页 |
·态密度分析 | 第31-33页 |
·本章小结 | 第33-34页 |
第三章 晶体氮化碳沉积过程机理及影响因素分析 | 第34-43页 |
·引言 | 第34页 |
·过程机理探讨 | 第34-37页 |
·气体氛围的改变对等离子体喷射设备通电功率的影响 | 第34-35页 |
·CVD法沉积氮化碳涂层的机理 | 第35-37页 |
·几种影响因素的讨论 | 第37-42页 |
·基底温度的作用 | 第37-38页 |
·碳源浓度的影响 | 第38-39页 |
·气压的影响 | 第39-41页 |
·碳源浓度、气压综合考虑 | 第41-42页 |
·本章小结 | 第42-43页 |
第四章 晶体氮化碳涂层的制备研究 | 第43-57页 |
·引言 | 第43页 |
·直流电弧等离子体喷射设备原理介绍 | 第43-44页 |
·现代表征手段简述 | 第44-45页 |
·金刚石过渡层上制备氮化碳研究 | 第45-50页 |
·实验条件 | 第45-46页 |
·结果与讨论 | 第46-50页 |
·硬质合金上制备氮化碳研究 | 第50-56页 |
·实验条件 | 第50-51页 |
·结果与讨论 | 第51-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
·总结 | 第57-58页 |
·展望 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-63页 |
致谢 | 第63-65页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第65页 |