| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-28页 |
| 2．1 纳米材料的简介 | 第10-12页 |
| 2．2 纳米半导体的独特性质 | 第12-14页 |
| 2．3 纳米线材料的合成 | 第14-20页 |
| 2．4 纳米线材料的应用 | 第20-22页 |
| 2．5 Ge纳米线的研究现状 | 第22-24页 |
| 2．6 立题思路和意义 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第三章 纳米多孔氧化铝模板的研制 | 第28-43页 |
| 3．1 氧化铝模板的结构 | 第28-29页 |
| 3．2 实验过程 | 第29-33页 |
| 3．2．1 仪器设备与电极材料 | 第29-30页 |
| 3．2．2 工艺流程 | 第30-32页 |
| 3．2．3 多孔氧化铝模板的表面形貌表征 | 第32-33页 |
| 3．3 实验结果分析和讨论 | 第33-41页 |
| 3．3．1 铝阳极氧化的电极反应 | 第33-34页 |
| 3．3．2 恒压下铝阳极氧化的电流密度和时间的关系 | 第34-35页 |
| 3．3．3 铝阳极氧化膜的厚度与阳极氧化时间的关系 | 第35-36页 |
| 3．3．4 电场的均匀性对氧化铝模板的影响 | 第36-39页 |
| 3．3．5 第一步阳极氧化时间对氧化铝模板的影响 | 第39-41页 |
| 3．4 结论 | 第41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第四章 在氧化铝模板孔洞内沉积Ge纳米线 | 第43-61页 |
| 4．1 实验过程 | 第43-49页 |
| 4．1．1 LPCVD生长系统简介 | 第43-45页 |
| 4．1．2 实验中采用的纳米多孔氧化铝模板的性质 | 第45-48页 |
| 4．1．3 Ge纳米线的生长工艺 | 第48-49页 |
| 4．2 实验结果分析和讨论 | 第49-60页 |
| 4．2．1 生长温度对Ge晶体结构的影响 | 第49-51页 |
| 4．2．2 气源流量对Ge的形貌的影响 | 第51-54页 |
| 4．2．3 Ge纳米线的性质 | 第54-58页 |
| 4．2．4 Ge纳米线生长机制的探讨 | 第58-60页 |
| 4．3 结论 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第五章 实验总结 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |