摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
目录 | 第9-11页 |
1 综述 | 第11-21页 |
·引言 | 第11页 |
·正常磁电阻效应 | 第11-12页 |
·各向异性磁电阻效应 | 第12页 |
·巨磁电阻效应 | 第12-14页 |
·隧道磁电阻效应 | 第14-15页 |
·庞磁电阻效应 | 第15-16页 |
·铁磁金属/半导体薄膜体系中的磁电阻效应 | 第16-18页 |
·本论文的思路以及工作安排 | 第18-21页 |
2 薄膜的制备及分析测试 | 第21-31页 |
·前言 | 第21页 |
·薄膜的制备 | 第21-24页 |
·清洗基片 | 第21-22页 |
·磁控溅射法制备样品 | 第22-24页 |
·薄膜的厚度、成分、结构及其性能分析 | 第24-31页 |
·薄膜的厚度测试 | 第24-25页 |
·X 射线衍射分析(XRD) | 第25-26页 |
·X 射线光电子能谱(XPS) | 第26-27页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
·薄膜磁性表征 | 第28-29页 |
·薄膜磁电阻效应的测定 | 第29-31页 |
3 不同温度下沉积的 Co-ZnO 颗粒膜的结构和性能分析 | 第31-37页 |
·前言 | 第31页 |
·实验过程 | 第31页 |
·不同基片温度下沉积的 Co-ZnO 颗粒膜的结构 | 第31-33页 |
·不同基片温度下沉积的 Co-ZnO 颗粒膜的磁性 | 第33-34页 |
·不同基片温度下沉积的 Co-ZnO 颗粒膜的磁电阻效应 | 第34-36页 |
·本章小结 | 第36-37页 |
4 三明治结构 GF(400℃)/ZnO(xnm)(RT)/GF(RT)薄膜的磁性和磁电阻效应 | 第37-51页 |
·前言 | 第37页 |
·实验过程 | 第37-38页 |
·GF(400℃)/ZnO(20nm)(RT)/GF(RT)薄膜 | 第38-47页 |
·GF(400℃)/ZnO(20nm)(RT)/GF(RT)薄膜的结构 | 第38-41页 |
·三明治结构 GF(400℃)/ZnO(20nm)(RT)/GF(RT)薄膜的磁性 | 第41-43页 |
·三明治结构 GF(400℃)/ZnO(20nm)(RT)/GF(RT)薄膜的磁电阻分析 | 第43-47页 |
·GF(400℃)ZnO(0nm,20nm,40nm)(RT)/GF(RT)薄膜的比较 | 第47-50页 |
·GF(400℃)ZnO(0nm,20nm,40nm)(RT)/GF(RT)样品的磁性 | 第47-49页 |
·GF(400℃)ZnO(0nm,20nm,40nm)(RT)/GF(RT)薄膜的磁电阻效应 | 第49-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
5 掺杂 Al 对 GF 基薄膜磁电阻效应的影响 | 第51-57页 |
·前言 | 第51-52页 |
·实验过程 | 第52页 |
·三明治结构 GF(400℃)/ZnO/[Co/ZnAlO]样品的磁性和磁电阻效应 | 第52-54页 |
·ZnO(y nm)/[Co/ZnAlO]10样品的磁电阻效应 | 第54-55页 |
·本章小结 | 第55-57页 |
6 结论 | 第57-59页 |
致谢 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-65页 |
附录 | 第65页 |