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65nm工艺YHFT-DX二级Cache的物理设计

目录第1-9页
摘要第9-10页
Abstract第10-11页
第一章 绪论第11-20页
   ·研究背景第11-14页
     ·纳米级物理设计面临的挑战第11-13页
     ·SRAM 的发展趋势第13-14页
   ·相关研究第14-17页
     ·层次化物理设计研究第14-16页
     ·物理设计中的互连优化技术研究第16页
     ·大容量 SRAM 设计研究第16-17页
   ·课题来源与研究意义第17-18页
   ·论文的组织结构第18-20页
第二章 YHFT-DX 初样芯片二级 Cache 物理设计第20-43页
   ·SRAM_CELL 存储体的电路设计第20-26页
     ·存储阵列第20-23页
     ·地址译码器第23-25页
     ·版图实现第25-26页
   ·单个 Bank 模块的物理设计第26-37页
     ·设计流程与数据准备第26-28页
     ·布局规划与布局第28-30页
     ·有用偏差第30-32页
     ·时序收敛第32-35页
     ·LEF 视图的提取第35-36页
     ·设计检查第36-37页
   ·全芯片中 Bank 体的布局结构第37-40页
     ·二级 Cache 的互连结构第37-38页
     ·Bank 体的布局结构第38-40页
   ·二级 Cache 相关的时序违例第40-41页
   ·本章小结第41-43页
第三章 YHFT-DX 正样芯片二级 Cache 物理设计第43-66页
   ·LRU 存储器的全定制设计第43-52页
     ·LRU 存储器介绍第43-44页
     ·电路设计第44-48页
     ·版图设计第48-50页
     ·电路及版图验证第50-52页
   ·二级 Cache 顶层物理设计第52-65页
     ·布图规划第52-54页
     ·电源/地规划第54-55页
     ·时钟网络设计第55-58页
     ·信号完整性分析第58-61页
     ·静态时序分析第61-63页
     ·子模块的物理设计重构第63-64页
     ·二级 Cache 的性能对比第64-65页
   ·本章小结第65-66页
第四章 结束语第66-68页
   ·全文总结第66页
   ·工作展望第66-68页
致谢第68-69页
参考文献第69-72页
作者在学期间取得的学术成果第72页

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