摘要 | 第1-10页 |
Abstract | 第10-12页 |
第一章 绪论 | 第12-46页 |
·前言 | 第12-13页 |
·纳米电子器件的发展 | 第13-30页 |
·纳米线及碳纳米管电子器件 | 第13-19页 |
·分子电子器件 | 第19-23页 |
·石墨烯电子器件 | 第23-30页 |
·本课题提出的意义及主要研究内容 | 第30-31页 |
·课题提出的意义 | 第30-31页 |
·主要研究内容 | 第31页 |
参考文献 | 第31-46页 |
第二章 计算方法 | 第46-62页 |
·引言 | 第46页 |
·经典分子动力学 | 第46-51页 |
·经典分子动力学运动方程 | 第47-48页 |
·原子间相互作用势 | 第48-49页 |
·系综分类 | 第49-50页 |
·分子动力学计算步骤 | 第50-51页 |
·非平衡格林函数 | 第51-57页 |
·单能级体系 | 第52-54页 |
·非平衡格林函数法计算多能级体系电子输运 | 第54-56页 |
·非相干散射 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-62页 |
第三章 Si纳米线电子器件的电子输运性质 | 第62-76页 |
·引言 | 第62-63页 |
·研究方法 | 第63-65页 |
·超细Si纳米线的电子输运及掺杂的影响 | 第65-72页 |
·本章小结 | 第72页 |
参考文献 | 第72-76页 |
第四章 电极与石墨烯连接方式及化学修饰对石墨烯分子晶体管的影响 | 第76-92页 |
·引言 | 第76-77页 |
·研究方法 | 第77-80页 |
·结果与讨论 | 第80-88页 |
·电极与石墨烯连接方式的影响 | 第80-86页 |
·化学修饰的影响 | 第86-88页 |
·本章小结 | 第88-89页 |
参考文献 | 第89-92页 |
第五章 石墨烯-氮化硼复合纳米带单原子层电子器件 | 第92-112页 |
·引言 | 第92-93页 |
·研究方法 | 第93-95页 |
·结果与讨论 | 第95-107页 |
·GNR-mzBNNRn-GNR双电极器件 | 第95-97页 |
·GNR-maBNNRn-GNR双电极器件 | 第97-99页 |
·氮原子和硼原子空位的影响 | 第99-103页 |
·GNR-BNNR-GNR的场效应及自旋过滤特性 | 第103-107页 |
·本章小结 | 第107页 |
参考文献 | 第107-112页 |
第六章 总结与展望 | 第112-114页 |
·结论 | 第112-113页 |
·展望 | 第113-114页 |
致谢 | 第114-116页 |
附录 | 第116-118页 |
附件 | 第118页 |