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低维碳硅纳米材料的电子输运性质

摘要第1-10页
Abstract第10-12页
第一章 绪论第12-46页
   ·前言第12-13页
   ·纳米电子器件的发展第13-30页
     ·纳米线及碳纳米管电子器件第13-19页
     ·分子电子器件第19-23页
     ·石墨烯电子器件第23-30页
   ·本课题提出的意义及主要研究内容第30-31页
     ·课题提出的意义第30-31页
     ·主要研究内容第31页
 参考文献第31-46页
第二章 计算方法第46-62页
   ·引言第46页
   ·经典分子动力学第46-51页
     ·经典分子动力学运动方程第47-48页
     ·原子间相互作用势第48-49页
     ·系综分类第49-50页
     ·分子动力学计算步骤第50-51页
   ·非平衡格林函数第51-57页
     ·单能级体系第52-54页
     ·非平衡格林函数法计算多能级体系电子输运第54-56页
     ·非相干散射第56-57页
 参考文献第57-62页
第三章 Si纳米线电子器件的电子输运性质第62-76页
   ·引言第62-63页
   ·研究方法第63-65页
   ·超细Si纳米线的电子输运及掺杂的影响第65-72页
   ·本章小结第72页
 参考文献第72-76页
第四章 电极与石墨烯连接方式及化学修饰对石墨烯分子晶体管的影响第76-92页
   ·引言第76-77页
   ·研究方法第77-80页
   ·结果与讨论第80-88页
     ·电极与石墨烯连接方式的影响第80-86页
     ·化学修饰的影响第86-88页
   ·本章小结第88-89页
 参考文献第89-92页
第五章 石墨烯-氮化硼复合纳米带单原子层电子器件第92-112页
   ·引言第92-93页
   ·研究方法第93-95页
   ·结果与讨论第95-107页
     ·GNR-mzBNNRn-GNR双电极器件第95-97页
     ·GNR-maBNNRn-GNR双电极器件第97-99页
     ·氮原子和硼原子空位的影响第99-103页
     ·GNR-BNNR-GNR的场效应及自旋过滤特性第103-107页
   ·本章小结第107页
 参考文献第107-112页
第六章 总结与展望第112-114页
   ·结论第112-113页
   ·展望第113-114页
致谢第114-116页
附录第116-118页
附件第118页

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