摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
第一章 绪论 | 第13-25页 |
·课题研究背景及其意义 | 第13-15页 |
·国内外研究现状 | 第15-23页 |
·线路棒形悬式复合绝缘子运行情况 | 第15-17页 |
·高压绝缘子污秽闪络的研究 | 第17-21页 |
·高压绝缘子紫外成像检测技术 | 第21-23页 |
·论文研究内容及章节安排 | 第23-25页 |
第二章 悬式绝缘子“不明闪络”成因分析 | 第25-53页 |
·悬式绝缘子击穿通道 | 第25-30页 |
·悬式绝缘子可能发生击穿的三条放电通道 | 第25-29页 |
·击穿发生在空间通道的条件 | 第29页 |
·“不明闪络”过程分析 | 第29-30页 |
·长气隙放电的先导通道等离子体输运模型 | 第30-34页 |
·现有的长气隙放电计算模型及其缺陷 | 第30-31页 |
·先导通道等离子体输运模型的建模思想及步骤 | 第31-34页 |
· | 第34-39页 |
·先导通道等离子体微观计算模型 | 第34页 |
·非平衡态等离子体输运特性 | 第34-36页 |
·空间电荷衍生电场对间隙内电场分布的影响 | 第36-39页 |
·计算结果及分析 | 第39-50页 |
·绝缘子极间空气间隙放电与沿面放电的有效元仿真分析 | 第39-43页 |
·先导通道等离子体团参数计算 | 第43-48页 |
·空间电荷对间隙几何电场的影响 | 第48-50页 |
·本章小结 | 第50-53页 |
第三章 悬式绝缘子闪络(击穿)特性试验分析 | 第53-75页 |
·试验平台的搭建 | 第53-57页 |
·试验原理及试验方法 | 第53-56页 |
·电极结构及其验证 | 第56-57页 |
·悬式绝缘子闪络试验 | 第57-68页 |
·试品及其憎水性测试 | 第57-60页 |
·人工污秽闪络试验 | 第60-62页 |
·清洁空气在不同间隙长度下的击穿 | 第62-64页 |
·染污空气在不同间隙长度下的击穿 | 第64-65页 |
·不同空气染污等级下绝缘子极间间隙的击穿 | 第65-68页 |
·试验结果分析及试验结论 | 第68-73页 |
·悬式绝缘子闪络试验结果分析 | 第68-69页 |
·悬式绝缘子极间间隙击穿试验结果分析 | 第69页 |
·悬式绝缘子沿面与极间间隙试验结果对比分析 | 第69-71页 |
·误差分析 | 第71-72页 |
·试验结论 | 第72-73页 |
·本章小结 | 第73-75页 |
第四章 悬式绝缘子放电过程中生成的等离子体诊断试验分析 | 第75-94页 |
·试验方法 | 第76-79页 |
·低电压等级对较高电压等级绝缘子的模拟 | 第77页 |
·悬式绝缘子平板模型的模拟 | 第77-78页 |
·提高光谱测量精度的方法 | 第78-79页 |
·朗缪尔单探针法诊断电晕等离子体 | 第79-87页 |
·单探针诊断原理及方法 | 第79-81页 |
·探针诊断装置及测试方法 | 第81-82页 |
·测试结果与分析 | 第82-87页 |
·发射光谱法诊断电弧等离子体 | 第87-92页 |
·发射光谱法诊断机理与方法 | 第87-89页 |
·发射光谱法诊断装置 | 第89页 |
·诊断结果与分析 | 第89-92页 |
·本章小结 | 第92-94页 |
第五章 基于紫外成像的悬式绝缘子闪络前状态诊断试验分析 | 第94-117页 |
·紫外成像仪对放电强度的量化方法及改进 | 第94-98页 |
·紫外成像仪工作原理 | 第94-95页 |
·紫外成像仪对放电强度的量化方法 | 第95-98页 |
·三大参数之间相互对应的三大关系 | 第98-104页 |
·气体放电的光辐射与紫外成像仪的改进方法 | 第98-101页 |
·三大参数间三大对应关系 | 第101-104页 |
·基于紫外辐射的悬式绝缘子闪络前状态诊断 | 第104-115页 |
·悬式绝缘子放电过程的紫外成像观测 | 第104-108页 |
·紫外辐射测量与绝缘子场强计算 | 第108-110页 |
·等离子体参数与紫外辐射的对应测量与计算 | 第110-112页 |
·基于等离子体能级的悬式绝缘子闪络前状态诊断判据 | 第112-113页 |
·试验误差分析 | 第113-114页 |
·试验结论 | 第114-115页 |
·本章小结 | 第115-117页 |
第六章 全文总结及结论 | 第117-122页 |
·论文创新点 | 第117-118页 |
·全文研究结论 | 第118-120页 |
·预计未来研究可取得的进展 | 第120-122页 |
参考文献 | 第122-128页 |
附录A 氮氧分子及原子化学反应 | 第128-132页 |
在学研究成果 | 第132-133页 |
致谢 | 第133页 |