高电光转化效率MEMS红外光源的制备及其性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章.绪论 | 第10-18页 |
| ·课题的研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·红外辐射相关基础理论 | 第11-13页 |
| ·红外辐射及红外光谱 | 第11-12页 |
| ·黑体辐射机理 | 第12-13页 |
| ·MEMS 红外光源国内外研究现状 | 第13-16页 |
| ·论文研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章.MEMS 红外光源基础理论分析 | 第18-26页 |
| ·红外光源分类 | 第18-20页 |
| ·红外发光二极管 | 第18-19页 |
| ·红外激光器 | 第19页 |
| ·热辐射红外光源 | 第19-20页 |
| ·MEMS 红外光源辐射原理 | 第20-22页 |
| ·工作原理 | 第20-21页 |
| ·辐射强度 | 第21页 |
| ·电光转化效率 | 第21-22页 |
| ·MEMS 红外光源应用 | 第22-25页 |
| ·光电特征标识装置 | 第22-23页 |
| ·红外气体探测器 | 第23-24页 |
| ·红外通信装置 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章.MEMS 红外光源结构设计与仿真分析 | 第26-38页 |
| ·光源结构设计 | 第26-28页 |
| ·材料掺杂改性方法研究 | 第28-33页 |
| ·单晶硅反射层掺杂改性方法 | 第28-29页 |
| ·多晶硅辐射层掺杂改性方法 | 第29-33页 |
| ·ANSYS 仿真分析 | 第33-36页 |
| ·ANSYS 软件介绍 | 第33页 |
| ·光源辐射层热电耦合分析 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章.MEMS 红外光源制造工艺研究 | 第38-59页 |
| ·工艺介绍 | 第38-44页 |
| ·清洗工艺 | 第38页 |
| ·氧化工艺 | 第38-40页 |
| ·低压化学气相淀积（LPCVD）工艺 | 第40-41页 |
| ·光刻工艺 | 第41-42页 |
| ·刻蚀工艺 | 第42-44页 |
| ·MEMS 红外光源的制作 | 第44-57页 |
| ·掩膜版设计 | 第44-47页 |
| ·工艺流程设计 | 第47-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章.MEMS 红外光源性能测试 | 第59-65页 |
| ·I-V 特性测试 | 第59-60页 |
| ·温度特性测试 | 第60页 |
| ·相对光谱测试 | 第60-62页 |
| ·辐射强度测试 | 第62-63页 |
| ·不同距离辐射强度测试 | 第62-63页 |
| ·不同角度辐射强度测试 | 第63页 |
| ·电光转化效率计算 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章.总结及展望 | 第65-67页 |
| ·论文总结 | 第65-66页 |
| ·工作展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
