微波单片接收前端关键器件技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-14页 |
| ·微波单片集成电路的发展动态 | 第9-12页 |
| ·单片微波集成电路的优点及应用 | 第12-13页 |
| ·本文主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 器件及工艺技术 | 第14-28页 |
| ·基片材料 | 第14-15页 |
| ·晶体管类型 | 第15-23页 |
| ·场效应晶体管 | 第16-18页 |
| ·高电子迁移率晶体管 | 第18-21页 |
| ·异质结双极型晶体管 | 第21-22页 |
| ·宽禁带半导体晶体管 | 第22-23页 |
| ·MMIC设计流程及工艺技术 | 第23-25页 |
| ·MMIC的设计流程 | 第24页 |
| ·MMIC的工艺流程 | 第24-25页 |
| ·砷化镓MMIC微组装技术 | 第25-28页 |
| ·微组装结构示意图 | 第25-26页 |
| ·微组装注意事项 | 第26页 |
| ·芯片烧结 | 第26-27页 |
| ·金丝压焊 | 第27-28页 |
| 第三章 低噪声放大器芯片的设计 | 第28-54页 |
| ·低噪放的相关理论 | 第28-33页 |
| ·噪声系数 | 第28-29页 |
| ·有噪声双端口网络描述 | 第29-30页 |
| ·放大器功率增益 | 第30-31页 |
| ·放大器的稳定性分析 | 第31-32页 |
| ·放大器的1dB功率压缩点 | 第32-33页 |
| ·Ka波段低噪声放大器的设计 | 第33-45页 |
| ·电路拓扑结构的选择 | 第33-34页 |
| ·器件及直流工作点的选取 | 第34-39页 |
| ·同时实现输入功率匹配和最佳噪声匹配的设计 | 第39-40页 |
| ·两级低噪放匹配电路设计及仿真结果 | 第40-43页 |
| ·三级低噪放匹配电路设计及仿真结果 | 第43-45页 |
| ·超宽带单片分布式放大器的设计 | 第45-53页 |
| ·基本原理 | 第45-47页 |
| ·电路设计及仿真结果 | 第47-50页 |
| ·芯片测试与分析 | 第50-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第四章 毫米波单片混频器的设计 | 第54-73页 |
| ·混频器的基本原理及主要性能参数 | 第54-56页 |
| ·基本原理 | 第54-55页 |
| ·变频损耗 | 第55页 |
| ·隔离度 | 第55页 |
| ·噪声系数 | 第55-56页 |
| ·动态范围 | 第56页 |
| ·镜像抑制 | 第56页 |
| ·电阻性FET混频器 | 第56-57页 |
| ·镜像抑制混频器的基本原理 | 第57-58页 |
| ·Ka波段单平衡阻性混频器的设计 | 第58-62页 |
| ·Ka波段四次谐波镜像抑制混频器的设计 | 第62-71页 |
| ·巴伦的设计 | 第63-65页 |
| ·电路的整体设计及仿真 | 第65-67页 |
| ·芯片测试及结果分析 | 第67-71页 |
| ·小结 | 第71-73页 |
| 第五章 低噪声放大器与混频器的单片集成 | 第73-78页 |
| ·电路设计 | 第73-75页 |
| ·电路优化仿真 | 第75-78页 |
| 第六章 结论 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 读研期间学术成果 | 第85页 |
