基于噪声高k栅栈结构缺陷表征方法研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-9页
·研究背景和意义	第7-8页
·论文结构	第8-9页
第二章 高k介质缺陷分布及表征方法	第9-23页
·高k介质MOS缺陷分布	第9-11页
·常规缺陷表征方法	第11-14页
·Capacitance-Voltage法	第11-13页
·Stress and Sense法	第13-14页
·新型高k介质缺陷表征方法	第14-21页
·脉冲I_d-V_g法	第14-16页
·Charge Pumping法	第16-19页
·低频噪声法	第19-21页
·小结	第21-23页
第三章 高k介质缺陷俘获发射机制研究	第23-41页
·直接隧穿机制	第23-26页
·陷阱辅助隧穿机制	第26-28页
·共振隧穿机制	第28-39页
·双势垒-单势阱物理模型	第28-30页
·基于转移矩阵法透射系数分析	第30-39页
·小结	第39-41页
第四章 基于低频噪声高k介质缺陷表征	第41-59页
·直接隧穿机制噪声模型及不足	第41-42页
·全隧穿机制低频噪声模型	第42-54页
·共振隧穿机制特征时间常数模型	第42-44页
·高k栅栈缺陷分布模型	第44-47页
·全隧穿噪声模型及验证	第47-54页
·全隧穿噪声模型的应用	第54-58页
·基于全隧穿模型的高k缺陷表征	第54-56页
·噪声缺陷表征方法的论证与讨论	第56-58页
·小结	第58-59页
第五章 结论与展望	第59-61页
·论文总结	第59页
·展望	第59-61页
致谢	第61-63页
参考文献	第63-69页
在校期间研究成果	第69页