| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·Si半导体材料 | 第12-15页 |
| ·Si半导体材料的发展 | 第12-14页 |
| ·Si衬底刻蚀技术 | 第14-15页 |
| ·STO功能薄膜 | 第15-17页 |
| ·STO薄膜的制备方法 | 第15-16页 |
| ·STO薄膜的主要应用 | 第16-17页 |
| ·ZnO纳米结构 | 第17-19页 |
| ·ZnO纳米结构的研究进展及应用 | 第17-18页 |
| ·ZnO纳米材料的制备方法及形貌结构 | 第18-19页 |
| ·本课题的研究内容及意义 | 第19-20页 |
| 第2章 实验方法与原理 | 第20-30页 |
| ·Si晶体结构 | 第20-21页 |
| ·STO晶体结构 | 第21页 |
| ·ZnO晶体结构 | 第21-23页 |
| ·制备方法 | 第23-25页 |
| ·湿法刻蚀 | 第23-24页 |
| ·液相沉积法 | 第24页 |
| ·反胶束微乳液法 | 第24-25页 |
| ·水热法 | 第25页 |
| ·表征手段 | 第25-30页 |
| ·X射线衍射 | 第26页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜 | 第27-28页 |
| ·激光扫描共聚焦显微镜 | 第28-30页 |
| 第3章 Si衬底表面湿法刻蚀“V”型槽 | 第30-44页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·实验过程 | 第31-36页 |
| ·实验药品与实验仪器 | 第31-32页 |
| ·KOH及IPA浓度的确定 | 第32-33页 |
| ·TiO_2掩模的选择 | 第33-34页 |
| ·实验步骤 | 第34-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-43页 |
| ·刻蚀时间对形貌的影响 | 第36-39页 |
| ·水浴温度对形貌的影响 | 第39-41页 |
| ·掩膜厚度对形貌的影响 | 第41-43页 |
| ·本章结论 | 第43-44页 |
| 第4章 Si衬底表面液相沉积法制备STO薄膜 | 第44-58页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·实验过程 | 第44-46页 |
| ·实验药品 | 第44-45页 |
| ·Si衬底的处理 | 第45-46页 |
| ·LPD制备样品 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-57页 |
| ·热处理温度的影响 | 第47-48页 |
| ·衬底放置方式的影响 | 第48-53页 |
| ·亲水处理时间的影响 | 第53-54页 |
| ·沉积温度及沉积时间的影响 | 第54-56页 |
| ·硼酸注入速率的影响 | 第56-57页 |
| ·本章结论 | 第57-58页 |
| 第5章 Si衬底表面水热法制备ZnO纳米结构膜的探索 | 第58-72页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·实验过程 | 第59-62页 |
| ·实验药品与实验仪器 | 第59页 |
| ·Si衬底的亲油处理 | 第59-60页 |
| ·水热法制备样品 | 第60-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-70页 |
| ·水热时间的影响 | 第62-64页 |
| ·反应温度的影响 | 第64-66页 |
| ·烧结温度的影响 | 第66-68页 |
| ·不同Si衬底的影响 | 第68-69页 |
| ·生长机制探讨 | 第69-70页 |
| ·本章结论 | 第70-72页 |
| 第6章 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80页 |