| 作者简介 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·紫外探测的应用领域 | 第15-16页 |
| ·紫外探测器的研究进展 | 第16-20页 |
| ·紫外探测器的发展历程 | 第16-18页 |
| ·紫外探测器的基本类型 | 第18-19页 |
| ·紫外光探测器的基本器件结构 | 第19-20页 |
| ·宽禁带半导体紫外探测器研究概述 | 第20-25页 |
| ·GaN 紫外探测器 | 第20-22页 |
| ·ZnO 紫外探测器 | 第22-23页 |
| ·SiC 紫外探测器 | 第23-25页 |
| ·MSM 光电探测器研究进展 | 第25-27页 |
| ·论文的内容安排 | 第27-30页 |
| 第二章 光电探测器的原理与基本特性 | 第30-48页 |
| ·探测器的光子效应及光电转换 | 第30-32页 |
| ·MSM 光电探测器工作原理 | 第32-39页 |
| ·欧姆接触 | 第32-33页 |
| ·MSM 光导探测器工作原理 | 第33-34页 |
| ·肖特基接触 | 第34-36页 |
| ·肖特基势垒的电流输运 | 第36-38页 |
| ·肖特基接触 MSM 光电探测器工作原理 | 第38-39页 |
| ·光电探测器的基本特性 | 第39-44页 |
| ·伏安特性 | 第40页 |
| ·光电转换特性 | 第40-41页 |
| ·信噪比特性 | 第41-43页 |
| ·跟踪入射信号特性 | 第43-44页 |
| ·MSM 光电探测器的等效电路模型 | 第44-47页 |
| ·MSM 探测器电路模型 | 第45-46页 |
| ·改进型 MSM 光电探测器电路模型 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 MSM 探测器电极结构的影响与优化设计 | 第48-76页 |
| ·SiC 的制备及材料表征 | 第48-53页 |
| ·SiC 单晶生长技术 | 第48-49页 |
| ·SiC 薄膜外延生长技术 | 第49-51页 |
| ·材料分析方法 | 第51-53页 |
| ·SiC MSM 光电探测器的建模 | 第53-58页 |
| ·数值模拟方法 | 第53-54页 |
| ·器件结构 | 第54页 |
| ·物理模型 | 第54-58页 |
| ·仿真结果与优化 | 第58-62页 |
| ·器件结构对光谱响应的影响与优化 | 第62-73页 |
| ·器件结构 | 第63页 |
| ·数值建模 | 第63-66页 |
| ·仿真结果与分析 | 第66-73页 |
| ·本章小结 | 第73-76页 |
| 第四章 新型电极 MSM 紫外探测器的研究与结构设计 | 第76-98页 |
| ·SiC 器件制备关键工艺 | 第76-80页 |
| ·SiC 的掺杂技术 | 第76-77页 |
| ·SiC 的氧化工艺 | 第77-78页 |
| ·SiC 的刻蚀工艺 | 第78-79页 |
| ·SiC 的金属化工艺 | 第79-80页 |
| ·传统结构 SiC MSM 紫外探测器制备工艺流程 | 第80-82页 |
| ·传统 MSM 电极的问题与限制 | 第82-85页 |
| ·三角形电极 4H-SiC MSM 紫外光探测器研究 | 第85-90页 |
| ·器件结构与模型 | 第85-86页 |
| ·仿真结果与分析 | 第86-90页 |
| ·新型半圆形电极 MSM 紫外探测器的研究 | 第90-95页 |
| ·器件结构与模型 | 第90-92页 |
| ·仿真结果与讨论 | 第92-95页 |
| ·TEMSM 与 SEMSM 探测器性能的定量对比 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 第五章 4H-SiC MSM 紫外探测器的温度特性研究 | 第98-112页 |
| ·光电探测器温度特性研究概述 | 第98-102页 |
| ·温度对 4H-SiC MSM 探测器特性的影响 | 第102-110页 |
| ·器件结构与模型 | 第102-105页 |
| ·仿真结果与分析 | 第105-110页 |
| ·本章小结 | 第110-112页 |
| 第六章 总结与展望 | 第112-116页 |
| ·结论 | 第112-113页 |
| ·展望 | 第113-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-138页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第138-140页 |
| 学术论文 | 第138-139页 |
| 参加研究的科研项目 | 第139-140页 |
